公开(公告)号：CN1740396A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510088504.4

申请日：2005-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有京 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  韩政男

IPC: C23F1/16

CPC classification number: C23F1/28 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01F41/308 ,  H01F41/34 ,  H01L21/32134 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，该有机酸具有羧基和氢氧基。还公开了用于形成磁存储器件的方法。

公开(公告)号：CN107039424B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201611062755.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高镛璿 ,  朴相真 ,  赵学柱 ,  朴炳哉 ,  韩政男

IPC: H01L27/04

Abstract: 半导体器件可以包括：在第一方向上彼此间隔开的成对的有源图案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成对的有源图案的成对栅电极；在成对的有源图案的侧壁上的栅间隔物；在成对的栅电极之间位于成对的有源图案上的源极/漏极区；在成对的栅电极之间以及在成对的有源图案之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到栅间隔物。

公开(公告)号：CN103996640B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201410056849.0

申请日：2014-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  尹普彦 ,  韩政男 ,  权奇相 ,  尹斗圣 ,  崔源尚

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 提供了化学品供给器，用于进行湿处理的装置和方法。所述化学品供给器包括：化学品储存器，所述化学品储存器容纳处于室温的化学品混合物，所述化学品储存器的内部空间与环境隔离；供给线，通过所述供给线将所述化学品混合物从所述化学品储存器供给至处理室；在线加热器，所述在线加热器位于所述供给线上并且将在所述供给线中的所述化学品混合物加热至处理温度；和动力源，所述动力源驱动所述化学品混合物，以使所述化学品混合物向所述处理室移动。

公开(公告)号：CN104752508A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410768392.6

申请日：2014-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  尹普彦 ,  全夏英 ,  赵炳权 ,  韩政男

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件。半导体器件包括限定沟槽的栅极间隔物，栅极间隔物包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分。第一部分的内表面具有相对于基板的锐角倾角，第二部分的内表面具有相对于基板的直角倾角或钝角倾角。栅极电极填充沟槽的至少一部分。

公开(公告)号：CN103996640A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410056849.0

申请日：2014-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  尹普彦 ,  韩政男 ,  权奇相 ,  尹斗圣 ,  崔源尚

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供了化学品供给器，用于进行湿处理的装置和方法。所述化学品供给器包括：化学品储存器，所述化学品储存器容纳处于室温的化学品混合物，所述化学品储存器的内部空间与环境隔离；供给线，通过所述供给线将所述化学品混合物从所述化学品储存器供给至处理室；在线加热器，所述在线加热器位于所述供给线上并且将在所述供给线中的所述化学品混合物加热至处理温度；和动力源，所述动力源驱动所述化学品混合物，以使所述化学品混合物向所述处理室移动。

公开(公告)号：CN103943568A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310752006.X

申请日：2013-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车知勋 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹英相 ,  韩政男

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本公开提供了一种利用对隔离层的氮化来制造半导体器件的方法，该方法包括提供针对包括有源区和隔离区的暴露出的顶表面进行的等离子体氮化。可以使所述包括有源区和隔离区的暴露出的顶表面受到刻蚀，从而在所述有源区内形成一个比形成在所述隔离区内的更深的凹槽；并且可以在所述更深的凹槽内生长不合并的外延应力膜。

公开(公告)号：CN101577226A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910137129.6

申请日：2009-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  金伶厚 ,  洪昌基 ,  李根泽 ,  李在东 ,  严大弘 ,  韩政男

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L27/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法。绝缘层可以形成在具有接触区的目标体上。绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区的开口。包括硅和氧的材料层可以形成在暴露的接触区上。金属层可以形成在包括硅和氧的材料层上。包括硅和氧的材料层可以与金属层反应从而至少在接触区上形成金属氧硅化物层。导电层可以形成在金属氧硅化物层以填充开口。