公开(公告)号：CN102832300B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201210203592.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  朴基镐 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金柄均 ,  金起成 ,  尹皙胡

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。

公开(公告)号：CN103078035A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210412020.0

申请日：2012-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宗炫 ,  李正贤 ,  金起成 ,  尹皙胡 ,  金荣善

IPC: H01L33/42 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/407 ,  C23C16/45578 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。

公开(公告)号：CN103066176A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210400802.2

申请日：2012-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范埈 ,  金晟泰 ,  金荣善 ,  尹皙胡 ,  金起成 ,  李浩喆

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括n型氮化物半导体层、设置在n型氮化物半导体层上的活性层和设置在活性层上的p型氮化物半导体层。一个或多个电流扩散层设置在n型氮化物半导体层的表面上。电流扩散层包括带隙能比形成n型氮化物半导体层的材料的带隙能大的材料，以在与形成n型氮化物半导体层的材料的界面处形成二维电子气层。

公开(公告)号：CN102832300A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210203592.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  朴基镐 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金柄均 ,  金起成 ,  尹皙胡

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。

公开(公告)号：CN1979983A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610121330.1

申请日：2006-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起成

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/14 ,  H01S5/04 ,  H01S5/125

CPC classification number: H01S5/141 ,  H01S3/109 ,  H01S5/024 ,  H01S5/041 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明提供一种垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)。该VECSEL包括：半导体芯片，包括发射具有预定波长的束的有源层以及将该有源层产生的该束反射到该有源层的外部的反射层；外镜，面对该有源层且反复地将该有源层发射的束反射到该反射层从而放大该束并将该放大的束输出到外部；泵浦激光器，提供泵浦束从而激励该有源层；第二谐波生成(SHG)器件，设置在该半导体芯片与该外镜之间并且转换该有源层发射的该束的波长；及半导体过滤器或电介质过滤器，与该SHG器件耦合。该VECSEL包括能够容易地选择波长并能够容易地制造的半导体过滤器或电介质过滤器，从而具有高的光转换效率、简单、并具有低制造成本。