公开(公告)号：CN110050468A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201880004661.8

申请日：2018-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东炫 ,  闵丙锡 ,  魏浩千 ,  金范埈 ,  金钟寰 ,  许都垣

IPC: H04N21/431 ,  H04N21/434 ,  H04N9/64

Abstract: 一种显示设备，包括：显示单元；接收单元，能够为从内容提供设备接收图像数据；和处理器，经由接收设备接收图像数据和指示与主内容一起的子内容是否包括在图像数据中的参考信息，基于接收单元接收的图像数据使得主内容和在主内容中选择性地包括的子内容的图像显示在显示单元上，和基于参考信息使得通过在多个图像处理方法当中选择的一个图像处理方法图像被显示，以便与图像中是否包括子内容对应。

公开(公告)号：CN102832300B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201210203592.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  朴基镐 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金柄均 ,  金起成 ,  尹皙胡

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。

公开(公告)号：CN103066176A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210400802.2

申请日：2012-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范埈 ,  金晟泰 ,  金荣善 ,  尹皙胡 ,  金起成 ,  李浩喆

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括n型氮化物半导体层、设置在n型氮化物半导体层上的活性层和设置在活性层上的p型氮化物半导体层。一个或多个电流扩散层设置在n型氮化物半导体层的表面上。电流扩散层包括带隙能比形成n型氮化物半导体层的材料的带隙能大的材料，以在与形成n型氮化物半导体层的材料的界面处形成二维电子气层。

公开(公告)号：CN102832300A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210203592.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  朴基镐 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金柄均 ,  金起成 ,  尹皙胡

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。