公开(公告)号：CN114388690A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111202262.2

申请日：2021-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英铉 ,  吴世忠 ,  直基长谷 ,  申喜珠 ,  朴正桓

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 一种磁性器件包括包含固定图案的固定层、自由层以及在固定层和自由层之间的隧道势垒。固定图案包括第一磁性图案、第二磁性图案以及在第一磁性图案和第二磁性图案之间的包括非磁性材料层的混合间隔物，非磁性材料包括分散在其中的多个磁性纳米粒子。

公开(公告)号：CN112349829A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010391931.4

申请日：2020-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪京一 ,  金英铉 ,  朴正桓 ,  吴世忠 ,  李正敏

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种包括阻挡层的半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的层间绝缘层中的多个磁隧道结(MTJ)结构。阻挡层在层间绝缘层和所述多个MTJ结构上。上绝缘层在阻挡层上。上互连在上绝缘层上。上插塞连接到所述多个MTJ结构中的相应一个以及上互连并且延伸到上绝缘层和阻挡层中。阻挡层包括具有比上绝缘层高的吸收常数的材料。

公开(公告)号：CN102956813A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210285196.4

申请日：2012-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  金英铉 ,  朴相奂 ,  吴世忠 ,  李将银 ,  林佑昶

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G06F13/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。

公开(公告)号：CN110649154B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201910159324.2

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李同规 ,  金英铉 ,  朴正桓 ,  李正敏 ,  洪京一

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一电极；在第一电极上的磁隧道结(MTJ)；在MTJ上的覆盖层；在覆盖层上的应力诱导层；以及在应力诱导层上的第二电极。应力诱导层可以具有张应力。

公开(公告)号：CN112242485A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010320589.9

申请日：2020-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相奂 ,  金哉勋 ,  金英铉

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 一种磁存储器件包括参考磁性结构、自由磁性结构以及在它们之间的隧道势垒图案。参考磁性结构包括第一被钉扎图案、在第一被钉扎图案和隧道势垒图案之间的第二被钉扎图案、以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案。第二被钉扎图案包括交替堆叠的磁性图案和非磁性图案。第一被钉扎图案是由铁磁元素组成的铁磁图案。

公开(公告)号：CN112216789A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010392306.1

申请日：2020-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正桓 ,  金英铉 ,  吴世忠 ,  李正敏 ,  洪京一

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 提供了一种包括第一顶部电极和在其上的第二顶部电极的数据存储器件。数据存储器件包括在衬底的上表面处的存储晶体管以及电连接到存储晶体管的数据存储结构。数据存储结构包括磁隧道结图案和在磁隧道结图案上的顶部电极。顶部电极包括第一顶部电极和在第一顶部电极上的第二顶部电极，并且第一顶部电极和第二顶部电极包括相同的金属氮化物。第一顶部电极包括金属氮化物的第一晶粒，第二顶部电极包括金属氮化物的第二晶粒。在顶部电极的沿与衬底的上表面平行的第一方向截取的一截面中，沿第一方向的每单位长度的第一晶粒的数量大于沿第一方向的每单位长度的第二晶粒的数量。

公开(公告)号：CN110649154A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910159324.2

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李同规 ,  金英铉 ,  朴正桓 ,  李正敏 ,  洪京一

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一电极；在第一电极上的磁隧道结(MTJ)；在MTJ上的覆盖层；在覆盖层上的应力诱导层；以及在应力诱导层上的第二电极。应力诱导层可以具有张应力。

公开(公告)号：CN103633240A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310366932.3

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  金基雄 ,  金英铉 ,  金晥均 ,  朴相奂

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。