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公开(公告)号：CN113690239A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202011451468.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括第一导线和与第一导线间隔开的第二导线。半导体图案设置在第一导线与第二导线之间。半导体图案包括具有第一导电类型杂质的、设置为与第一导线相邻的第一半导体图案。具有第二导电类型杂质的第二半导体图案设置为与第二导线相邻。第三半导体图案设置在第一半导体图案与第二半导体图案之间。第三半导体图案包括设置为与第一半导体图案相邻的第一区域和设置在第一区域与第二半导体图案之间的第二区域。第一区域和第二区域中的至少一个包括本征半导体层。第一栅极线与第一区域交叉，并且第二栅极线与第二区域交叉。
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公开(公告)号：CN113675332A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110184630.9
申请日：2021-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储装置包括：磁性轨道层，所述磁性轨道层在衬底上延伸，所述磁性轨道层具有二维绒毛状的折叠结构；多个读取单元，所述多个读取单元包括多个固定层和位于所述磁性轨道层与所述多个固定层中的每个固定层之间的隧道势垒层；和多条位线，所述多条位线在所述多个读取单元中的不同的读取单元上延伸，所述多个读取单元位于所述磁性轨道层与所述多条位线中的相应的位线之间。
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公开(公告)号：CN113571525A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110452234.X
申请日：2021-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11578 , H01L27/11568
Abstract: 本公开提供了半导体存储器件。该半导体存储器件包括：第一半导体图案，包括第一杂质区、第二杂质区和沟道区，第一杂质区在第一方向上与基板间隔开并具有第一导电类型，第二杂质区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并且沟道区在第一杂质区和第二杂质区之间；第一导电连接线，连接到第一杂质区并在与第一方向不同的第二方向上延伸；以及第一栅极结构，在第一方向上延伸并包括第一栅电极和第一栅极绝缘膜，其中第一栅电极穿透沟道区，并且第一栅极绝缘膜在第一栅电极和第一半导体图案之间。
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公开(公告)号：CN113224063B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110074133.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体存储器装置可以包括在第一方向上彼此间隔开的第一电极和第二电极以及与第一电极和第二电极两者接触的第一半导体图案。第一半导体图案可以包括在第一方向上顺序地设置的第一子半导体图案至第四子半导体图案。第一子半导体图案和第四子半导体图案可以分别与第一电极和第二电极接触。第一子半导体图案和第三子半导体图案可以具有第一导电类型，第二子半导体图案和第四子半导体图案可以具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第一子半导体图案至第四子半导体图案中的每一个可以包括过渡金属和硫族元素。
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公开(公告)号：CN117596890A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310267027.6
申请日：2023-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括第一单元阵列和第二单元阵列。第一单元阵列包括：第一栅电极，沿竖直方向延伸；第一栅电极的侧表面上的第一沟道图案；以及第一位线，电连接到第一沟道图案。第二单元阵列包括：第二栅电极，沿竖直方向延伸；第二栅电极的侧表面上的第二沟道图案；以及第二位线，电连接到第二沟道图案。第一位线焊盘电连接到第一位线，并且第二位线焊盘电连接到第二位线。第一位线焊盘与第二位线焊盘通过第一单元阵列和第二单元阵列间隔开，第一单元阵列和第二单元阵列介于第一位线焊盘与第二位线焊盘之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117525123A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310968722.5
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件。该半导体器件包括：基板；栅极结构，设置在基板上并在第一方向上延伸；以及有源图案，在第二方向上与基板间隔开，在第三方向上延伸并穿透栅极结构，其中有源图案包括二维半导体材料，栅极结构包括依次堆叠在有源图案上的栅极绝缘层、下栅极导电层、铁电层和上栅极导电层，栅极绝缘层包括六方氮化硼(h‑BN)，铁电层包括二维材料的双层。
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公开(公告)号：CN116133418A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211022832.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：彼此间隔开的第一位线和第二位线；层间绝缘层，覆盖第一位线和第二位线并包括凹槽，凹槽延伸以与第一位线和第二位线两者交叉；第一沟道图案，连接到第一位线并与凹槽的内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；第二沟道图案，连接到第二位线并与凹槽的另一内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；在凹槽中的字线；第一电极和第二电极，在层间绝缘层上并分别与第一沟道图案和第二沟道图案接触；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。
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公开(公告)号：CN114068548A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110495619.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/06
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：字线，在基底上沿竖直方向延伸；沟道层，围绕字线以构造单元晶体管，并且呈具有预定水平宽度的水平环形形状；位线，沿第一水平方向设置在沟道层的一端处，并且沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸；以及单元电容器，沿第一水平方向设置在沟道层的另一端处，单元电容器包括沿竖直方向延伸的上电极层、围绕上电极层的下电极层以及设置在上电极层与下电极层之间的电容器介电层。
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公开(公告)号：CN113224063A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110074133.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11526 , H01L27/11551
Abstract: 半导体存储器装置可以包括在第一方向上彼此间隔开的第一电极和第二电极以及与第一电极和第二电极两者接触的第一半导体图案。第一半导体图案可以包括在第一方向上顺序地设置的第一子半导体图案至第四子半导体图案。第一子半导体图案和第四子半导体图案可以分别与第一电极和第二电极接触。第一子半导体图案和第三子半导体图案可以具有第一导电类型，第二子半导体图案和第四子半导体图案可以具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第一子半导体图案至第四子半导体图案中的每一个可以包括过渡金属和硫族元素。
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