公开(公告)号：CN115346998A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210149385.2

申请日：2022-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  禹东秀 ,  柳成原 ,  李炅奂 ,  洪载淏

IPC: H01L27/1159 ,  H01L27/11597 ,  H01L27/11595

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括堆叠，该堆叠包括：交替堆叠在衬底上的字线和层间绝缘图案，该字线沿平行于衬底的顶面的第一方向延伸；半导体图案，与字线交叉，并且具有沿平行于衬底的顶面的第二方向延伸的长轴；数据存储图案，分别介于半导体图案与字线之间，该数据存储图案包括铁电材料；位线，沿垂直于衬底的顶面的第三方向延伸，并在第一方向上彼此间隔开，该位线中的每一条位线与在第三方向上彼此间隔开的半导体图案的第一侧面接触；以及源极线，与半导体图案的第二侧面接触。

公开(公告)号：CN113224063B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202110074133.3

申请日：2021-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  山田悟 ,  柳成原 ,  李炅奂 ,  洪载淏

IPC: H10B41/40 ,  H10B41/20

Abstract: 半导体存储器装置可以包括在第一方向上彼此间隔开的第一电极和第二电极以及与第一电极和第二电极两者接触的第一半导体图案。第一半导体图案可以包括在第一方向上顺序地设置的第一子半导体图案至第四子半导体图案。第一子半导体图案和第四子半导体图案可以分别与第一电极和第二电极接触。第一子半导体图案和第三子半导体图案可以具有第一导电类型，第二子半导体图案和第四子半导体图案可以具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第一子半导体图案至第四子半导体图案中的每一个可以包括过渡金属和硫族元素。

公开(公告)号：CN113224063A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110074133.3

申请日：2021-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  山田悟 ,  柳成原 ,  李炅奂 ,  洪载淏

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551

Abstract: 半导体存储器装置可以包括在第一方向上彼此间隔开的第一电极和第二电极以及与第一电极和第二电极两者接触的第一半导体图案。第一半导体图案可以包括在第一方向上顺序地设置的第一子半导体图案至第四子半导体图案。第一子半导体图案和第四子半导体图案可以分别与第一电极和第二电极接触。第一子半导体图案和第三子半导体图案可以具有第一导电类型，第二子半导体图案和第四子半导体图案可以具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第一子半导体图案至第四子半导体图案中的每一个可以包括过渡金属和硫族元素。