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公开(公告)号：CN101154446A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153200.0
申请日：2007-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金灿镐
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C8/10 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3427
Abstract: NAND快闪阵列包括耦合到第一选择线的第一选择晶体管、耦合到第二选择线的第二选择晶体管、用于耦合到字线并且串联在第一和第二选择晶体管之间的存储单元、和与第一选择线电连接的跨接线。
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公开(公告)号：CN1141412A
公开(公告)日：1997-01-29
申请号：CN96107567.8
申请日：1996-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金灿镐
IPC: F24D5/02
CPC classification number: F24H3/0488 , F24C5/12
Abstract: 本发明公开了一种结构简单、拆卸方便的风扇式石油空气加热器的燃烧器组合装置，它包括：燃烧器通道组合体，它通过上、下部构件相互连接而形成箱状；燃烧器组合体，它具有一插设于前述燃烧器通道组合体的燃烧头插入口上的燃烧头；以及燃烧筒。它具有以下特征：前述燃烧器通道下部构件设有一燃烧头引导口，以引导前述燃烧头到达前述燃烧头插入口内侧，以及覆盖该燃烧头引导口的覆盖构件。
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公开(公告)号：CN112732173B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202011161755.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/0882
Abstract: 一种存储器设备，包括：第一存储区，包括具有多个每个用于根据N比特数据存取方案存储N比特数据的第一存储器单元的第一存储器单元阵列，和第一外围电路，用于控制第一存储器单元并安置在第一存储器单元阵列之下；第二存储区，包括具有多个每个用于根据M比特数据存取方案存储M比特数据的第二存储器单元的第二存储器单元阵列，和第二外围电路，用于控制第二存储器单元并安置在第二存储器单元阵列之下，第一存储区和第二存储区包括在单个半导体芯片中并共享输入和输出接口；和控制器，通过响应于接收由外部传感器获取的感测数据向感测数据应用存储在第一存储区中的权重生成计算数据，并根据权重将计算数据存储在第一存储区或第二存储区之一中。
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公开(公告)号：CN109754836B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811274793.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维(3D)非易失性存储器包括堆叠结构，该堆叠结构包括多个导电层，所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并通过多个层间绝缘层彼此间隔开。堆叠结构包括第一单元区域、与第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在第一单元区域与第二单元区域之间的连接区域。连接区域包括第一台阶部分、第二台阶部分和连接部分，第一台阶部分接触第一单元区域并且具有在接近第二单元区域的方向上下降的阶梯形状，第二台阶部分接触第二单元区域并且具有在接近第一单元区域的方向上下降的阶梯形状，连接部分连接第一单元区域和第二单元区域。
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公开(公告)号：CN109712658B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201811247747.1
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器包括在基板的第一区域中的第一存储单元阵列和在基板的第二区域中的第二存储单元阵列。第一存储单元阵列包括单元串，并且每个单元串包括在垂直于基板的方向上堆叠的非易失性存储单元。第二存储单元阵列包括易失性存储单元，并且每个易失性存储单元包括选择晶体管和电容器。电容器包括：至少一个接触，与选择晶体管电连接并具有与每个单元串的第一高度相对应的第二高度；以及至少一个第二接触，被供应有接地电压，具有对应于每个单元串的第一高度的第三高度，与所述至少一个第一接触相邻，并与所述至少一个第一接触电分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112864165A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011200219.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/1157
Abstract: 提供了半导体存储器装置和操作方法。一种三维(3D)半导体存储器装置包括：外围逻辑结构，其设置在衬底上并包括多个外围电路；水平半导体层，其设置在外围逻辑结构上；多个堆叠结构，其中模制层和电极焊盘在第一方向上交替堆叠在水平半导体层上；多个电极隔离区域，其在第一方向和第二方向上延伸并且将多个堆叠结构分开，电极隔离区域连接至水平半导体层；以及多个贯通结构，其设置在外围逻辑结构中以在第一方向上穿透堆叠结构，每一个贯通结构的一侧连接至贯通沟道接触件，其中，电极焊盘分别与电极隔离区域中的至少一个电极隔离区域或贯通结构中的至少一个贯通结构形成电容。
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公开(公告)号：CN112635469A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010820285.9
申请日：2020-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11514 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 一种集成电路装置，包括：外围电路结构；存储器堆叠件，其包括位于外围电路结构上的在竖直方向上与外围电路结构重叠的多条栅极线；上衬底，其位于外围电路结构与存储器堆叠件之间，上衬底包括位于存储器堆叠件的存储器单元区下方的通孔；字线切割区，其跨过存储器堆叠件和通孔在第一横向上纵长地延伸；以及共源极线，其位于字线切割区中，共源极线包括第一部分和第二部分，第一部分在上衬底上在第一横向上纵长地延伸，第二部分一体地连接至第一部分，第二部分从上衬底的上部通过通孔穿透上衬底并且延伸至外围电路结构中。
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公开(公告)号：CN111799272A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201911254549.2
申请日：2019-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：衬底；存储单元串，包括垂直沟道结构和存储单元；电压发生器，包括第一晶体管，并且被配置为向所述存储单元提供各种电压；和垂直电容器结构。所述垂直电容器结构包括：第一有源图案和第二有源图案，布置为在第一水平方向上彼此分开；第一栅极图案，位于所述第一有源图案和所述第二有源图案之间的沟道区上方；第一栅极绝缘膜，在垂直方向上位于所述第一栅极图案和所述衬底之间；和电容器电极，均在所述垂直方向上延伸。所述第一晶体管包括第二栅极图案和在所述垂直方向上位于所述第二栅极图案和所述衬底之间的第二栅极绝缘膜。所述第一栅极绝缘膜在所述垂直方向上的厚度大于所述第二栅极绝缘膜在所述垂直方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN110853683B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201910738613.8
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/02
Abstract: 本公开提供了非易失性存储器。一种非易失性存储器包括垂直堆叠在第二半导体层上并包括第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组的第一半导体层。第二半导体层包括分别在第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组下面的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。第一区域包括通过特定字线连接到第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组中的一个存储器组的存储器单元的一个驱动电路以及通过第一位线连接到第一存储器组的存储器单元的另一个驱动电路，其中特定字线和第一位线在相同的水平方向上延伸。
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公开(公告)号：CN112349724B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010527845.1
申请日：2020-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器装置，所述存储器装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于第一基底上的电路元件，电路元件包括行解码器；单元阵列区域，包括字线和沟道结构，字线堆叠在外围电路区域上的第二基底上，沟道结构在与第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿透字线；以及单元接触区域，包括单元接触件，单元接触件连接到字线并位于单元阵列区域的在与第二基底的上表面平行的第一方向上的两侧上，单元接触区域包括第一单元接触区域和第二单元接触区域，第一单元接触区域和第二单元接触区域在第一方向上具有彼此不同的长度。
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