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公开(公告)号：CN119673251A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411249180.7
申请日：2024-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了块选择电路以及包括该块选择电路的闪存。闪存包括：存储块，连接到字线；地址解码器，选择字线中的一条或多条；第一传输晶体管，连接到地址解码器；第二传输晶体管，与第一传输晶体管串联连接，并且连接到字线之中的一条字线；第一驱动器电路，基于第一使能信号，控制第一传输晶体管的栅极电压；以及第二驱动器电路，基于第二使能信号，控制第二传输晶体管的栅极电压。基于存储块在擦除操作期间为未选择的存储块，第一驱动器电路控制第一传输晶体管处于浮置状态，第二驱动器电路控制提供给第二传输晶体管的栅极的电源电压。
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公开(公告)号：CN118431199A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202311529650.0
申请日：2023-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01N27/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，其中，第二半导体芯片的类型与第一半导体芯片的类型不同；以及裂纹检测电路，包括：第一裂纹检测线，重复地穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的界面；第二裂纹检测线，包括与第二半导体芯片的与该界面相对的表面接触的接合焊盘或通孔结构；以及裂纹检测器，在第二半导体芯片中，裂纹检测器被配置为：向第一裂纹检测线输出第一测试信号，从第一裂纹检测线接收第一接收信号，向第二裂纹检测线输出第二测试信号，以及从第二裂纹检测线接收第二接收信号。
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公开(公告)号：CN111081290B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201910806442.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于存储器装置的动态电力控制系统和存储器装置。一种用于存储器装置的动态电力控制系统包括：外部电力输入端，从所述存储器装置的外部的电力管理电路接收第一输出电流；可变电荷泵，接收第二输入电压和第二输入电流，将所述第二输入电压升高到第二输出电压，并且将所述第二输出电压和第二输出电流输出到所述存储器装置；以及反馈控制器，用于将所述第一输出电流和所述第一输入电流的比与所述第二输出电流和所述第二输入电流的比进行比较，并且根据比较结果，选择所述电力管理电路和所述可变电荷泵中的一个以向所述存储器装置供应电力。
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公开(公告)号：CN118412015A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410122988.2
申请日：2024-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件。该存储器件包括：第一单元区域，设置在第一层中并且包括第一位线和第一冗余位线；第二单元区域，设置在第二层中并且包括第二位线和第二冗余位线；外围区域，设置在第三层中并且包括第一页缓冲器和第二页缓冲器，第一页缓冲器被配置为分别连接到第一位线和第二位线，第二页缓冲器被配置为共同连接到第一冗余位线和第二冗余位线；以及控制电路，被配置为：基于第一位线有缺陷，用第一冗余位线替换第一位线；以及基于第二位线有缺陷，用第二冗余位线替换第二位线。
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公开(公告)号：CN117423373A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310414425.6
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 各种示例实施例提供了一种闪存器件，包括：单元串，具有多个存储单元；页缓冲器，连接到单元串和位线，并被配置为通过对与位线相连的读出节点进行预充电来读出存储在选自多个存储单元中的所选存储单元中的数据；以及电压调节器，向页缓冲器提供源电压。页缓冲器包括：锁存器，包括耦接在锁存器节点与反相锁存器节点之间的第一反相器和第二反相器；以及下拉NMOS晶体管，用于将所选存储单元的读出结果跳变到锁存器节点。电压调节器通过向下拉NMOS晶体管提供源电压来调节跳变电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112992198A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011498309.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。为了允许在半导体存储器装置中密集集成大量的堆叠字线，电荷泵被包括在半导体存储器装置中。电荷泵使用电容器。电容器相对于密集集成来实现。一些组件放置在堆叠的字线下面，一些组件不在堆叠的字线下面。不在堆叠字线下面的电容器的容量由并联结构部分地提供。
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公开(公告)号：CN112732173B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202011161755.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/0882
Abstract: 一种存储器设备，包括：第一存储区，包括具有多个每个用于根据N比特数据存取方案存储N比特数据的第一存储器单元的第一存储器单元阵列，和第一外围电路，用于控制第一存储器单元并安置在第一存储器单元阵列之下；第二存储区，包括具有多个每个用于根据M比特数据存取方案存储M比特数据的第二存储器单元的第二存储器单元阵列，和第二外围电路，用于控制第二存储器单元并安置在第二存储器单元阵列之下，第一存储区和第二存储区包括在单个半导体芯片中并共享输入和输出接口；和控制器，通过响应于接收由外部传感器获取的感测数据向感测数据应用存储在第一存储区中的权重生成计算数据，并根据权重将计算数据存储在第一存储区或第二存储区之一中。
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公开(公告)号：CN118412032A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410118183.0
申请日：2024-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器设备，包括连接到多条字线的存储器单元阵列；被配置为生成时钟信号的时钟生成器；被配置为基于时钟信号生成要提供给多条字线的电压的电荷泵电路；被配置为向所选存储器块提供电压的行解码器；与字线路径并联连接的电流生成电路，电压通过该字线路径从电荷泵电路被提供给行解码器，并且该电流生成电路被配置为在参考时间内生成流经字线路径的电流；以及缺陷检测电路，被配置为通过将在参考时间之前计数的时钟信号的第一计数值与在参考时间之后计数的时钟信号的第二计数值进行比较来检测字线路径上的缺陷。
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公开(公告)号：CN117998858A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311172971.X
申请日：2023-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在第一晶片上形成第一结构；在第二晶片上形成第二结构，该第二晶片包括第二芯片区域和围绕第二芯片区域的第二划道区域；通过第一切片工艺在平面图中分离第二芯片区域中的在第二晶片的中央部分中的第一多个第二芯片区域；将第二芯片区域中的第一多个第二芯片区域与第一晶片接合；通过第二切片工艺在平面图中分离第二芯片区域中的在第二晶片的边缘部分中的第二多个第二芯片区域；将第二芯片区域中的第二多个第二芯片区域与第一晶片接合；以及通过第三切片工艺分离相接合的第一晶片和第二晶片。
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