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公开(公告)号：CN103427017A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310055478.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁阻元件及包括其的存储装置。该磁阻元件包括自由层和从自由层突出的突出元件。该突出元件可以具有封闭的围栏结构。该突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端突出的第二部分。第一部分和第二部分可以具有相同的突出长度。第一部分和第二部分可以具有不同的突出长度。另一方面，突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端的至少之一突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端的至少之一突出的第二部分。
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公开(公告)号：CN120021408A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202410906702.X
申请日：2024-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁隧道结元件和包括磁隧道结元件的存储器件。磁隧道结元件包括：彼此面对的钉扎层和自由层；在钉扎层上的缓冲层；在缓冲层上的辅助层；在辅助层和自由层之间的极化增强层；以及在极化增强层和自由层之间的隧道阻挡层，其中缓冲层为非晶态并且包括CoFeBX，并且X为W、Mo、Re或Ta，辅助层包括W、Mo或Ta。
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公开(公告)号：CN118843322A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311646466.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：(i)参考磁性图案和自由磁性图案，其相对于衬底的表面被垂直对齐地堆叠，以及(ii)隧道势垒图案，其在参考磁性图案与自由磁性图案之间延伸。参考磁性图案包括：第一钉扎图案和第二钉扎图案，第二钉扎图案在第一钉扎图案与隧道势垒图案之间延伸；以及交换耦合图案，其在第一钉扎图案与第二钉扎图案之间延伸并将第一钉扎图案和第二钉扎图案彼此反铁磁地耦合。第一钉扎图案包括第一磁性图案和第二磁性图案，第二磁性图案在第一磁性图案与交换耦合图案之间延伸。第一磁性图案和第二磁性图案中的一者包括：钴、铂、和包括Nb、Cr、Mo、W、Zr、Hf和Ti中的至少一者的第一非磁性元素，而第一磁性图案和第二磁性图案中的另一者包括钴。
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公开(公告)号：CN104051608B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201410083532.6
申请日：2014-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了磁致电阻结构及其制造方法、及磁随机存取存储器件。一种磁致电阻结构包括：第一磁性层，其具有被固定的磁化方向；第二磁性层，其对应于第一磁性层，其中第二磁性层的磁化方向是可变的；以及磁致电阻（MR）增强层和中间层，二者都在第一磁性层和第二磁性层之间。一种磁随机存取存储器件可以包括前述磁致电阻结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103427017B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310055478.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁阻元件及包括其的存储装置。该磁阻元件包括自由层和从自由层突出的突出元件。该突出元件可以具有封闭的围栏结构。该突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端突出的第二部分。第一部分和第二部分可以具有相同的突出长度。第一部分和第二部分可以具有不同的突出长度。另一方面，突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端的至少之一突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端的至少之一突出的第二部分。
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公开(公告)号：CN104051608A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410083532.6
申请日：2014-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了磁致电阻结构及其制造方法、及磁随机存取存储器件。一种磁致电阻结构包括：第一磁性层，其具有被固定的磁化方向；第二磁性层，其对应于第一磁性层，其中第二磁性层的磁化方向是可变的；以及磁致电阻（MR）增强层和中间层，二者都在第一磁性层和第二磁性层之间。一种磁随机存取存储器件可以包括前述磁致电阻结构。
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公开(公告)号：CN101188271B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200710193402.8
申请日：2007-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供了一种利用磁畴壁移动的数据存储装置及形成该装置的方法，该数据存储装置可包括具有多个磁畴的第一磁性层。第二磁性层可以连接到第一磁性层，并且连接层可以置于第一磁性层和第二磁性层之间。电阻磁性层可以置于第一磁性层和连接层之间以及第二磁性层和连接层之间。因此，当电流被提供到该数据存储装置以移动磁畴壁时，可以减小或防止在磁性层之间的连接中的电流的泄漏，从而节约能量。
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公开(公告)号：CN101552033A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910134017.5
申请日：2009-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供磁性存储装置及其驱动方法和信息写入读取方法。所述磁性存储装置包括下结构或反铁磁层以及形成在下结构或反铁磁层上的固定层、信息存储层、自由层。在操作磁性存储装置的方法中，在沿第一磁化方向设置自由层的磁化方向之后，从信息存储层读取信息或将信息存储到信息存储层。当第一磁化方向与固定层的磁化方向相对时存储信息，且当第一磁化方向与固定层的磁化方向相同时读取信息。
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公开(公告)号：CN101188271A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710193402.8
申请日：2007-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供了一种利用磁畴壁移动的数据存储装置及形成该装置的方法，该数据存储装置可包括具有多个磁畴的第一磁性层。第二磁性层可以连接到第一磁性层，并且连接层可以置于第一磁性层和第二磁性层之间。电阻磁性层可以置于第一磁性层和连接层之间以及第二磁性层和连接层之间。因此，当电流被提供到该数据存储装置以移动磁畴壁时，可以减小或防止在磁性层之间的连接中的电流的泄漏，从而节约能量。
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