公开(公告)号：CN101271237A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810087224.5

申请日：2008-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  金时烈 ,  金彰洙

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2203/30 ,  G09G2320/0242

Abstract: 本发明公开了一种显示基板，其包括像素层、滤色器层和像素电极。像素层包括分别与红像素、绿像素和蓝像素相关联的第一存储电极、第二存储电极和第三存储电极。第一存储电极、第二存储电极和第三存储电极至少之一具有与其余存储电极不同的面积。滤色器层包括形成在像素层上的红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器。红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器分别对应于红像素、绿像素和蓝像素。像素电极形成在滤色器层上。像素电极对应于红像素、绿像素和蓝像素。

公开(公告)号：CN101063755A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710100846.2

申请日：2007-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲

IPC: G02F1/13 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 在形成金属线的方法和制造显示基板的方法中，沟道层和金属层连续地形成在基板上。光致抗蚀剂图案形成在布线区域。利用光致抗蚀剂图案蚀刻金属层以形成金属线。移除预定厚度的光致抗蚀剂图案以在金属线上形成残留的光致抗蚀剂图案。利用金属线蚀刻沟道层以形成位于金属线下面的底切。利用残留的光致抗蚀剂图案移除金属线的突起部分。突起部分相对于地突出于底切的形成构造。因此，增加了开口率，防止了余像并提高了显示质量。

公开(公告)号：CN1967338A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610171882.3

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金时烈 ,  蔡钟哲 ,  沈怡燮 ,  崔志源 ,  赵国来 ,  周振豪 ,  金炳住

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供了一种显示基底，包括薄膜晶体管层、滤色器层、多个像素电极、第一覆盖层和取向层。该薄膜晶体管层包括多个像素区域。该滤色器层形成在该薄膜晶体管层上。该像素电极形成在具有至少一个间隙的该滤色器层上，该间隙限定在相邻像素电极之间。该第一覆盖层提供在相邻像素电极之间的间隙内，并且覆盖通过该像素电极之间的该间隙露出的该滤色器层的一部分。该取向层形成在该像素电极和该第一覆盖层上。因此，该滤色器层与该取向层相分离以减少残留影像，因此提高了图像显示质量。

公开(公告)号：CN101211044B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200710306095.X

申请日：2007-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  金时烈 ,  流慧营 ,  郑美惠 ,  金彰洙 ,  姜秀馨

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种显示基板，包括：栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极、第一阻光层以及第二阻光层。存储线包含与栅极线相同的材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，并包含与栅极线相同的材料。第二阻光层形成于第一阻光层之间，并包含与数据线相同的材料。因此，可减小孔径比。

公开(公告)号：CN101930140A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910265776.5

申请日：2009-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田京叔 ,  金彰洙 ,  柳洪锡 ,  金容焕 ,  吴和烈 ,  金钟仁 ,  张常希

IPC: G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/13394 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明的示例性实施例公开了一种液晶显示器(LCD)及其制造方法。LCD具有显示区域和外围区域。使用半色调掩模可以将外围区域的有机层图案化。因此，可以防止薄膜晶体管阵列面板以及对应衬底在外围区域中临时被粘合，以便可以均匀地保持填充在外围区域中的液晶分子的密度，从而可以改善液晶显示器的显示质量。

公开(公告)号：CN101447490A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810173348.5

申请日：2008-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  宁洪龙 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  尹在亨 ,  李禹根 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金己园 ,  李炳珍 ,  李永旭 ,  金钟仁 ,  金炳范 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。

公开(公告)号：CN100445850C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200410031865.0

申请日：2004-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永勋 ,  金彰洙 ,  柳慧英

IPC: G02F1/1345 ,  G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/1345

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置及其制造方法，该装置包括：包括第一显示区域和第一周边区域的第一基板；形成在第一显示区域的薄膜晶体管；与第一基板相对布置且包括第二显示区域和第二周边区域的第二基板；形成在第二显示区域的滤色片；形成在滤色片上的公共电极；形成在公共电极与滤色片之间的平坦化层；以及公共电压施加构件，其包括由与滤色片相同的材料形成的绝缘体以及由与公共电极相同的材料形成的导体，其中平坦化层形成在公共电压施加构件的绝缘体与导体之间。

公开(公告)号：CN101304034A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810127753.3

申请日：2008-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  金彰洙 ,  蔡钟哲

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F2001/136222

Abstract: 本发明涉及显示基板、具有其的显示装置及其制造方法。一种显示基板包括薄膜晶体管(TFT)层、滤色层和形成在基板上的像素电极。该TFT层包括栅极线、与栅极线电绝缘并沿不同于栅极线的方向延伸的数据线、电连接到栅极线和数据线的TFT、和由与栅极线相同的层在每个像素中形成的存储电极。该滤色层包括延伸到TFT层对应于存储电极的部分的存储孔。该存储孔具有大于存储电极的水平横截面面积，其中在平行于基板的平面中测量该水平横截面面积。该像素电极形成在滤色层上和存储孔中以与存储电极一起形成存储电容器。

公开(公告)号：CN1897285A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610098474.X

申请日：2006-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  李禹根 ,  金时烈 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  皇甫尙佑 ,  吴旼锡 ,  柳慧英 ,  秦洪基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。

公开(公告)号：CN1794066A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510022944.X

申请日：2005-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全宰弘 ,  金彰洙

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板。该TFT阵列面板包括：在绝缘基板上形成的栅极线和栅电极；在绝缘基板上的存储电极线；在栅极线和存储电极线上的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的第一半导体；在第一半导体上所形成、位于栅电极上方且相互间隔开的数据线和漏电极；在第一半导体上所形成并具有暴露漏电极的接触孔和暴露存储电极上的栅极绝缘层的开口的钝化层；以及通过接触孔连接到漏电极并通过开口交迭存储电极的像素电极。