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公开(公告)号：CN108665921A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810228420.3
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/5226 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L2225/06524
Abstract: 一种半导体器件包括含第一基板的第一半导体芯片。第一磁隧道结在第一基板上。第二半导体芯片包括第二基板。第二磁隧道结在第二基板上。第二半导体芯片放置在第一半导体芯片上以形成芯片堆叠。第一磁隧道结的磁化翻转所需的第一临界电流密度不同于第二磁隧道结的磁化翻转所需的第二临界电流密度。
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公开(公告)号：CN107409244A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680013958.1
申请日：2016-04-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H04N21/472 , H04N21/475 , H04N21/45
CPC classification number: H04N21/44218 , H04N21/25891 , H04N21/4126 , H04N21/42202 , H04N21/43637 , H04N21/44204 , H04N21/44222 , H04N21/6582 , H04W4/023 , H04W4/80 , H04N21/47205 , H04N21/4516 , H04N21/4524 , H04N21/4756 , H04N21/4758
Abstract: 提供了一种显示装置，包括：输出，包括输出电路并被配置为输出内容；通信器，包括通信电路并被配置为从可穿戴设备接收包括感测信息的信号；以及控制器，包括处理电路并被配置为基于所接收的信号强度和感测信息来确定可穿戴设备是否在允许观看者观看内容的可用区域内。
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公开(公告)号：CN102522498A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110441857.3
申请日：2005-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供磁存储器件及其制造方法、反应室。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的MTJ单元，其中MTJ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。
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公开(公告)号：CN1092012C
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN98119602.0
申请日：1998-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04Q7/30
CPC classification number: H04W48/10 , H04B2201/70701 , H04W36/06 , H04W48/08 , H04W88/08
Abstract: 一种产生用于硬切换的导频信号的设备和方法，该设备在码分多址蜂窝系统中产生相应于相邻基站的识别导频信号以进行频率间硬切换，所述导频信号发生器，包括中频(IF)放大器/分配器、服务射频(RF)通路单元、和RF通路单元。当加到传统数字MODEM的IF放大器/分配器时，仅将信号传输给RF通路单元时，RF通路单元传送由开销信道或业务信道转换的所有信号，该RF通路单元可便携，易于插入或抽取。
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公开(公告)号：CN119497395A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410884322.0
申请日：2024-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板；数据存储图案，在基板上并在彼此交叉且平行于基板的顶表面的第一方向和第二方向上彼此间隔开；第一单元导电线，在数据存储图案上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；单元通路接触，在第一方向上彼此间隔开并设置在一对第一单元导电线之间；虚设数据存储图案，在所述一对第一单元导电线之间在第一方向上彼此间隔开并设置在单元通路接触之间；以及上导电线，在单元通路接触上并分别电连接到单元通路接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108735252B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201810263505.5
申请日：2018-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器设备包括至少一个参考单元和多个存储器单元。操作存储器设备的方法可以包括检测存储器设备的温度并根据温度检测的结果控制施加到至少一个参考单元的第一读取信号的电平。该方法还可以包括将通过将第一读取信号施加到至少一个参考单元而感测到的第一感测值与通过将第二读取信号施加到多个存储器单元当中的所选择的存储器单元而感测到的第二感测值进行比较。
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公开(公告)号：CN1181217C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN98126519.7
申请日：1998-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金大植
CPC classification number: H01L28/56 , C23C16/0272 , C23C16/409 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供了一种使用籽晶层形成PZT(锆钛酸铅：Pb(ZrxTi1-x)O3)薄膜的方法。在形成PZT薄膜的方法中，PZT在通过喷射入过量Pb而形成的PbO籽晶层或PZT籽晶层上生长。该钙钛矿相的PbO籽晶层或PZT籽晶层便于钙钛矿PZT成核，因此生长出细小和均匀的由钙钛矿相组成的PZT晶粒。
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公开(公告)号：CN1224073A
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：CN98126519.7
申请日：1998-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金大植
CPC classification number: H01L28/56 , C23C16/0272 , C23C16/409 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供了一种使用籽晶层形成PZT(锆钛酸铅:Pb(ZrxTi1－x)O3)薄膜的方法。在形成PZT薄膜的方法中,PZT在通过喷射入过量Pb而形成的PbO籽晶层或PZT籽晶层上生长。该钙钛矿相的PbO籽晶层或PZT籽晶层便于钙钛矿PZT成核,因此生长出细小和均匀的由钙钛矿相组成的PZT晶粒。
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公开(公告)号：CN117594101A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310798929.2
申请日：2023-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金大植
Abstract: 公开了一种存储器件以及操作存储器件的方法，所述存储器件包括存储单元阵列以及读出电路，所述存储单元阵列包括多个存储单元，并且被划分为第一区域和第二区域；所述读出电路生成用于确定所述多个存储单元当中的属于所述第一区域的存储单元中存储的数据的第一读取电流，其中，所述第二区域被配置为存储基于用于将存储所述数据的存储单元的平行状态和反平行状态区分开的参考电阻的值确定的所述第一读取电流的值，以及施加到所述存储单元的初始读取电流的值。
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公开(公告)号：CN108987427B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201810515747.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在制造MRAM器件的方法中，第一下电极和第二下电极可以分别在衬底的第一区域和第二区域上形成。具有彼此不同的开关电流密度的第一MTJ结构和第二MTJ结构可以分别在第一下电极和第二下电极上形成。第一上电极和第二上电极可以分别在第一MTJ结构和第二MTJ结构上形成。
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