-
公开(公告)号：CN115768243A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211048369.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性装置包括种子图案、种子图案上的参考磁性结构、参考磁性结构上的自由磁性图案以及参考磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒。参考磁性结构包括：合成反铁磁(SAF)结构，其包括与所述种子图案的上表面接触的第一固定图案、与所述第一固定图案的上表面接触的反铁磁耦合图案以及与所述反铁磁耦合图案的上表面接触的第二固定图案；非磁性图案，其与所述第二固定图案的上表面接触；以及极化增强磁性图案，其与所述非磁性图案的上表面接触。
-
公开(公告)号：CN110896128A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910603076.6
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思的示例实施方式提供了包括自旋轨道转矩线的半导体器件以及操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：存储层，包括至少一个第一磁性层；以及参考层，面对存储层并包括至少一个第二磁性层。该器件还包括在存储层和参考层之间的隧道势垒层。该器件还包括与存储层相邻的至少一个自旋轨道转矩线。
-
公开(公告)号：CN109935682A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811398018.6
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁性存储器装置和用于制造其的方法，所述磁性存储器装置包括：基底；隧道势垒图案，位于基底上；第一磁性图案和第二磁性图案，彼此分隔开并且隧道势垒图案位于第一磁性图案和第二磁性图案之间；以及短路防止图案，与隧道势垒图案分隔开并且第二磁性图案位于短路防止图案和隧道势垒图案之间。短路防止图案包括交替堆叠的至少两个氧化物层和至少两个金属层。
-
公开(公告)号：CN107689418A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710645754.6
申请日：2017-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 提供了一种磁存储器件，其包括具有自由图案、参考图案、以及在自由图案与参考图案之间的隧道势垒图案的磁隧道结图案。自由图案包括第一子自由图案、第二子自由图案和第三子自由图案。第一子自由图案在隧道势垒图案与第三子自由图案之间，第二子自由图案在第一子自由图案与第三子自由图案之间。第二子自由图案包括镍-钴-铁-硼(NiCoFeB)，第三子自由图案包括镍-铁-硼(NiFeB)。还提供了相关的制造方法。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114512596A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111318157.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括磁隧道结的磁存储器件。磁隧道结包括固定层、在固定层上的极化增强结构、在极化增强结构上的隧道势垒层以及在隧道势垒层上的自由层，其中极化增强结构包括多个极化增强层以及将多个极化增强层彼此分开的至少一个间隔物层。多个极化增强层中的每个的厚度为从约至约且至少一个间隔物层的厚度为从约至约
-
公开(公告)号：CN112992902A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011036910.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 公开了半导体存储器件，包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在衬底上的多个层，每个层包括半导体图案、在该半导体图案上沿第一方向延伸的栅电极以及电连接到该半导体图案的数据存储元件；多个竖直绝缘体，穿透堆叠结构，该竖直绝缘体沿第一方向布置；以及位线，设置在堆叠结构的一侧处并竖直延伸。位线将堆叠的半导体图案电连接。竖直绝缘体中的每一个包括彼此相邻的第一竖直绝缘体和第二竖直绝缘体。栅电极包括设置在第一竖直绝缘体与第二竖直绝缘体之间的连接部分。
-
公开(公告)号：CN112510049A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010902350.2
申请日：2020-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 公开了一种半导体存储器件。该器件包括：在衬底上的外围电路结构；在外围电路结构上的半导体层；在半导体层上的电极结构，该电极结构包括堆叠在半导体层上的电极；垂直沟道结构，其穿透电极结构并且连接到半导体层；分离结构，其穿透电极结构，在第一方向上延伸并且将电极结构的电极水平地分成一对电极；覆盖电极结构的层间绝缘层；以及穿透层间绝缘层并且电连接到外围电路结构的贯穿接触。
-
公开(公告)号：CN112242485A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010320589.9
申请日：2020-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括参考磁性结构、自由磁性结构以及在它们之间的隧道势垒图案。参考磁性结构包括第一被钉扎图案、在第一被钉扎图案和隧道势垒图案之间的第二被钉扎图案、以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案。第二被钉扎图案包括交替堆叠的磁性图案和非磁性图案。第一被钉扎图案是由铁磁元素组成的铁磁图案。
-
公开(公告)号：CN109698268A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811180725.8
申请日：2018-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L43/08 , H01L21/67207
Abstract: 本公开提供了一种半导体制造装置以及制造存储器件的方法。该半导体制造装置包括转移室、连接到转移室的第一工艺室、以及连接到转移室的第二工艺室。转移室可以配置为转移基板。第一工艺室可以配置为在第一温度执行用于氧化基板上的金属层的第一氧化工艺。第二工艺室可以配置为在高于第一温度的第二温度执行用于氧化基板上的金属层的第二氧化工艺。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.02 seconds)
