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公开(公告)号：CN100349742C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200310118733.7
申请日：2003-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金允基
CPC classification number: B41J2/1631 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1646
Abstract: 喷墨打印头，和制造它的方法。所述打印头包括一基板，在所述基板上的第一绝缘层，在所述第一绝缘层上并彼此分开的第一和第二导体，包括电连接所述第一和第二导体并且在所述第一和第二导体之间的导体连接层的加热器，在所述第一和第二导体之间和所述导体连接层之间的第二绝缘层，和在基板上并限定一填充要喷射的墨水的墨水腔的一阻挡壁，在所述阻挡壁上设置的并形成所述墨水腔的顶壁的喷嘴板，在所述喷嘴板上形成喷嘴，在所述墨水腔中填充的墨水通过该喷嘴被喷射。
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公开(公告)号：CN1509875A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310118733.7
申请日：2003-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金允基
CPC classification number: B41J2/1631 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1646
Abstract: 喷墨打印头，和制造它的方法。所述打印头包括一基板，在所述基板上的第一绝缘层，在所述第一绝缘层上并彼此分开的第一和第二导体，包括电连接所述第一和第二导体并且在所述第一和第二导体之间的导体连接层的加热器，在所述第一和第二导体之间和所述导体连接层之间的第二绝缘层，和在基板上并限定一填充要喷射的墨水的墨水腔的一阻挡壁，在所述阻挡壁上设置的并形成所述墨水腔的顶壁的喷嘴板，在所述喷嘴板上形成喷嘴，在所述墨水腔中填充的墨水通过该喷嘴被喷射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1123467A
公开(公告)日：1996-05-29
申请号：CN95107354.0
申请日：1995-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76205 , H01L21/32
Abstract: 一种半导体器件的器件隔离方法，包括：在半导体衬底上形成一衬垫氧化层和一氮化物层之后，将位于器件隔离区上方的氮化物层清除掉。通过局部腐蚀衬垫氧化层在氮化物层下方形成一个切口。在暴露的衬底上形成第一氧化层并在氮化物层侧壁上形成一个多晶硅分隔层之后，通过对其中已在950℃以上的温度下形成了多晶硅分隔层的所得结构进行氧化，在形成于有源区上的氮化物层下方形成一个空洞。可实现良好的单元限定和稳定的器件隔离。
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公开(公告)号：CN101587914A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910141107.7
申请日：2009-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/05
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/02 , H01L31/0201 , H01L31/0508 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及使用该太阳能电池的太阳能电池模块。所提供的太阳能电池模块具有改善的能量效率。该太阳能电池模块包括框架、布置在框架处的第一太阳能电池以及比第一太阳能电池小的第二太阳能电池。第二太阳能电池设置在被第一太阳能电池包围的区域中。第一太阳能电池具有基本圆形的形状。第二太阳能电池具有矩形的形状，每个第二太阳能电池被四个第一太阳能电池包围。
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公开(公告)号：CN1866523A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084784.6
申请日：2006-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76232
Abstract: 在一个实施例中，半导体器件具有由在STI沟槽内形成的隔离层所限定的有源区，该STI沟槽包括上沟槽和下沟槽，下沟槽在上沟槽之下，具有基本上弧形截面形状，使得下沟槽与上沟槽连通。由于上沟槽具有正斜率的锥形侧壁，当使用绝缘层填充上沟槽时，可以获得良好的间隙填充性能。通过在下沟槽中形成空间，在隔离层的底的介电常数小于在氧化物层的介电常数，由此改善隔离性能。隔离层包括仅在上沟槽内形成并以隔片形式覆盖上沟槽内壁的第一绝缘层。
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公开(公告)号：CN1526553A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410003797.7
申请日：2004-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2/1404 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1646
Abstract: 本发明公开了一种气泡式喷墨打印头及其制造方法，该打印头包括：衬底，其上设置有用于存储墨的墨室和用于加热墨的电阻发热体；以及，供墨通道，其穿透衬底并且与墨室连接。供墨通道包括第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽按第一图案形成在衬底的第一表面处，第一图案距至少墨室入口和相邻墨室之间的连接部分的其中之一具有间距，衬底的第一表面其上设置有墨室。第二沟槽按第二图案形成在衬底的第二表面处，在第一沟槽的第一图案的范围内具有等于第一沟槽的面积和小于第一沟槽的面积其中之一，并且与第一沟槽连通。
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公开(公告)号：CN1059517C
公开(公告)日：2000-12-13
申请号：CN95107354.0
申请日：1995-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76205 , H01L21/32
Abstract: 一种半导体器件的器件隔离方法，包括：在半导体衬底上形成一衬垫氧化层和一氮化物层之后，将位于器件隔离区上方的氮化物层清除掉。通过局部腐蚀衬垫氧化层在氮化物层下方形成一个切口。在暴露的衬底上形成第一氧化层并在氮化物层侧壁上形成一个多晶硅分隔层之后，通过对其中已在950℃以上的温度下形成了多晶硅分隔层的所得结构进行氧化，在形成于有源区上的氮化物层下方形成一个空洞。可实现良好的单元限定和稳定的器件隔离。
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