公开(公告)号：CN1584720B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200410058480.3

申请日：2004-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴旻昱 ,  白范基 ,  李正荣 ,  崔权永 ,  郭相基 ,  全相镇

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。

公开(公告)号：CN101017302B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710086055.9

申请日：2007-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金爀珍 ,  金景旭 ,  郭相基 ,  尹汝建

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1393 ,  G02F2201/123

Abstract: 液晶显示(LCD)装置及其制造方法，包括在一个方向上设置的栅极线，在与栅极线垂直的方向上设置的数据线；在由栅极线和数据线限定的像素区域中设置的像素电极，其具有临近栅极线和像素线的交叉部分的斜边；以及在与像素电极的斜边的平行方向上设置的防止漏光的阻光图案。

公开(公告)号：CN1908789B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200610108364.7

申请日：2006-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭相基 ,  朴正浚 ,  白范基 ,  李敬弼

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1393 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器(LCD)，该LCD包括栅极线、数据线和像素电极，像素电极包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极。薄膜晶体管与栅极线和数据线结合，以向像素电极施加电压，存储电极与第一子像素电极和第二子像素电极部分地叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上，存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置，存储电极的第二侧部分突出并与第二子像素电极部分地叠置，存储电极包括存储电极延伸部分，存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。

公开(公告)号：CN100578577C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200610087042.9

申请日：2006-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭相基

IPC: G09G3/00 ,  G01R31/00 ,  G01R31/02 ,  G01M11/00

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种显示基板，其包括栅极焊盘部、源极焊盘部、第一静电耗散部、以及第一测试部。栅极焊盘部形成在多条栅极线中的每一条的一个端子上，并且向栅极线传递信号。源极焊盘部形成在多条源极线中的每一条的一个端子上，并且向源极线传递信号。第一静电耗散部散布流入到源极焊盘部中的静电荷。第一测试部接收第一测试信号，与第一静电耗散部电接触，以及通过第一静电耗散部向源极线传递第一测试信号。包括显示基板的显示装置传输通过第一测试部均匀施加到源极线的第一测试信号，从而通过粗测试容易地检测到缺陷。

公开(公告)号：CN101425543A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810168941.0

申请日：2008-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭相基 ,  孔香植 ,  金善日

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基板，所述TFT基板包括半导体图案、导电图案、第一布线图案、绝缘图案和第二布线图案。半导体图案形成于基板上。导电图案形成为与基板上的半导体图案相一致的层。第一布线图案形成于半导体图案上。第一布线图案包括源极和与源极间隔开的漏极。绝缘图案形成于具有第一布线图案的基板上以覆盖第一布线图案。第二布线图案形成于绝缘图案上。第二布线图案包括形成于源极和漏极上的栅极。因此，使用两个或三个掩膜制造TFT基板，以使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN100448012C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200610004236.8

申请日：2006-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗柄善 ,  郭相基 ,  金东奎 ,  李敬弼

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明公开了一种用于显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法。所述薄膜晶体管基板包括：栅极布线，包括栅电极；数据布线，包括数据线、连接到所述数据线的源电极和连接到像素电极的漏电极；以及半导体层，设置于所述栅极布线和数据布线之间，其中所述漏电极下的半导体层设置于与所述栅电极重叠的区域内，且所述源电极下的半导体层从栅电极向外延伸到未与所述栅电极重叠的区域。有利地，本公开提供了一种具有高开口率和导致少余像的用于显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN1828909A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610004236.8

申请日：2006-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗柄善 ,  郭相基 ,  金东奎 ,  李敬弼

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明公开了一种用于显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法。所述薄膜晶体管基板包括：栅极布线，包括栅电极；数据布线，包括数据线、连接到所述数据线的源电极和连接到像素电极的漏电极；以及半导体层，设置于所述栅极布线和数据布线之间，其中所述漏电极下的半导体层设置于与所述栅电极重叠的区域内，且所述源电极下的半导体层从栅电极向外延伸到未与所述栅电极重叠的区域。有利地，本公开提供了一种具有高开口率和导致少余像的用于显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法。