-
公开(公告)号:CN101017302A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200710086055.9
申请日:2007-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1339 , G02F1/1333 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/1393 , G02F2201/123
Abstract: 液晶显示(LCD)装置及其制造方法,包括在一个方向上设置的栅极线,在与栅极线垂直的方向上设置的数据线;在由栅极线和数据线限定的像素区域中设置的像素电极,其具有临近栅极线和像素线的交叉部分的斜边;以及在与像素电极的斜边的平行方向上设置的防止漏光的阻光图案。
-
公开(公告)号:CN1877666A
公开(公告)日:2006-12-13
申请号:CN200610087042.9
申请日:2006-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 郭相基
CPC classification number: H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种显示基板,其包括栅极焊盘部、源极焊盘部、第一静电耗散部、以及第一测试部。栅极焊盘部形成在多条栅极线中的每一条的一个端子上,并且向栅极线传递信号。源极焊盘部形成在多条源极线中的每一条的一个端子上,并且向源极线传递信号。第一静电耗散部散布流入到源极焊盘部中的静电荷。第一测试部接收第一测试信号,与第一静电耗散部电接触,以及通过第一静电耗散部向源极线传递第一测试信号。包括显示基板的显示装置传输通过第一测试部均匀施加到源极线的第一测试信号,从而通过粗测试容易地检测到缺陷。
-
公开(公告)号:CN1591144A
公开(公告)日:2005-03-09
申请号:CN200410057090.4
申请日:2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,包括以下工序:在基片上形成栅极线;在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层;在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜;光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层;沉积钝化层;光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分;除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分;形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极,冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分;除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分;以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
-
公开(公告)号:CN101452170A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200810165785.2
申请日:2008-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L21/84 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F2001/134345 , G02F2001/136222
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括:基板;在基板上沿第一方向延伸的栅极线;在基板上沿第二方向延伸并与栅极线相交且绝缘的数据线;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括连接到栅极线的控制端子、连接到数据线的输入端子、以及输出端子;形成于薄膜晶体管上的彩色滤光片;光线阻挡件,所述光线阻挡件形成于薄膜晶体管上,限定用于储存彩色滤光片的空间,并且包括至少环绕薄膜晶体管的输出端子区域的第一保护部分;以及像素电极,所述像素电极形成于光线阻挡件和彩色滤光片上,并接触由光线阻挡件的第一保护部分环绕的输出端子区域。
-
公开(公告)号:CN100392506C
公开(公告)日:2008-06-04
申请号:CN200410057090.4
申请日:2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,包括以下工序:在基片上形成栅极线;在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层;在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜;光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层;沉积钝化层;光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分;除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分;形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极,冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分;除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分;以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
-
公开(公告)号:CN100388506C
公开(公告)日:2008-05-14
申请号:CN02812690.4
申请日:2002-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列衬底的方法中,在衬底(10)上形成含铬基下层(111,601)和铝合金基上层(112,602)并水平延伸的栅极线组件(11)。栅极线组件具有栅极线(22)、栅极电极(26)和栅极垫(24)。在绝缘衬底(10)上沉积覆盖栅极线组件的栅极绝缘层(30)。在栅极绝缘层(30)上顺序形成半导体层(40)和欧姆接触层(55,56)。在欧姆接触层上形成含铬基下层(601)和铝合金基上层(602)的数据线组件(62)。数据线组件具有交叉在栅极线(22)上方的数据线(62)、源极电极(65)和漏极电极(66)、及数据垫(68)。在衬底上沉积保护层(70)并对其构图,形成暴露漏极电极(66)、栅极垫(24)和数据垫(68)的接触孔(13,74,76,78)。栅极线组件和数据线组件的下层(601)的侧壁经接触孔(13,74,76,78)暴露。在衬底上沉积IZO基层(14)并对其构图,形成像素电极(82)、辅助栅极垫(86)及辅助数据垫(88)。像素电极(82)连接漏极电极(66)的侧壁,辅助栅极及数据垫(86,88)连接栅极及数据垫(24,68)的侧壁。
-
公开(公告)号:CN101251692A
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200810004973.7
申请日:2008-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F1/1345 , G09G3/3614 , G09G2300/0426 , G09G2310/0297
Abstract: 提供了一种显示装置,该显示装置包括显示面板、栅极驱动器和数据驱动器。该显示面板包括多条栅极线、多条数据线和多个像素组。所述栅极线沿第一方向延伸,并且依序接收栅极信号;所述数据线沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸,并且接收数据信号。每个像素组包括第一、第二和第三垂直像素,所述第一、第二和第三垂直像素沿第二方向延伸并且沿第一方向依序布置。第一至第三垂直像素被水平地布置并且电连接到三条连续的栅极线以接收栅极信号,并且连接到两条或更少的数据线以接收数据信号。
-
公开(公告)号:CN1908789A
公开(公告)日:2007-02-07
申请号:CN200610108364.7
申请日:2006-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/134309 , G02F1/13439
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器(LCD),该LCD包括栅极线、数据线和像素电极,像素电极包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极。薄膜晶体管与栅极线和数据线结合,以向像素电极施加电压,存储电极与第一子像素电极和第二子像素电极部分地叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上,存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置,存储电极的第二侧部分突出并与第二子像素电极部分地叠置,存储电极包括存储电极延伸部分,存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。
-
公开(公告)号:CN1628389A
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN02812690.4
申请日:2002-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列衬底的方法中,在衬底(10)上形成含铬基下层(111,601)和铝合金基上层(112,602)并水平延伸的栅极线组件(11)。栅极线组件具有栅极线(22)、栅极电极(26)和栅极垫(24)。在绝缘衬底(10)上沉积覆盖栅极线组件的栅极绝缘层(30)。在栅极绝缘层(30)上顺序形成半导体层(40)和欧姆接触层(55,56)。在欧姆接触层上形成含铬基下层(601)和铝合金基上层(602)的数据线组件(62)。数据线组件具有交叉在栅极线(22)上方的数据线(62)、源极电极(65)和漏极电极(66)、及数据垫(68)。在衬底上沉积保护层(70)并对其构图,形成暴露漏极电极(66)、栅极垫(24)和数据垫(68)的接触孔(13,74,76,78)。栅极线组件和数据线组件的下层(601)的侧壁经接触孔(13,74,76,78)暴露。在衬底上沉积IZO基层(14)并对其构图,形成像素电极(82)、辅助栅极垫(86)及辅助数据垫(88)。像素电极(82)连接漏极电极(66)的侧壁,辅助栅极及数据垫(86,88)连接栅极及数据垫(24,68)的侧壁。
-
公开(公告)号:CN1584720A
公开(公告)日:2005-02-23
申请号:CN200410058480.3
申请日:2004-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线,在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层,在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后,沉积钝化层,对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极,同时除去导电层的第二部分,完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极,露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。
-
-
-
-
-
-
-
-
-