显示基板及测试具有该显示基板的显示面板的装置和方法

    公开(公告)号:CN1877666A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200610087042.9

    申请日:2006-06-12

    Inventor: 郭相基

    CPC classification number: H01L22/34 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供了一种显示基板,其包括栅极焊盘部、源极焊盘部、第一静电耗散部、以及第一测试部。栅极焊盘部形成在多条栅极线中的每一条的一个端子上,并且向栅极线传递信号。源极焊盘部形成在多条源极线中的每一条的一个端子上,并且向源极线传递信号。第一静电耗散部散布流入到源极焊盘部中的静电荷。第一测试部接收第一测试信号,与第一静电耗散部电接触,以及通过第一静电耗散部向源极线传递第一测试信号。包括显示基板的显示装置传输通过第一测试部均匀施加到源极线的第一测试信号,从而通过粗测试容易地检测到缺陷。

    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1591144A

    公开(公告)日:2005-03-09

    申请号:CN200410057090.4

    申请日:2004-08-30

    CPC classification number: G02F1/1368 G02F1/1339

    Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,包括以下工序:在基片上形成栅极线;在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层;在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜;光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层;沉积钝化层;光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分;除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分;形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极,冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分;除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分;以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。

    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN100392506C

    公开(公告)日:2008-06-04

    申请号:CN200410057090.4

    申请日:2004-08-30

    CPC classification number: G02F1/1368 G02F1/1339

    Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,包括以下工序:在基片上形成栅极线;在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层;在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜;光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层;沉积钝化层;光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分;除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分;形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极,冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分;除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分;以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。

    显示装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101251692A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200810004973.7

    申请日:2008-01-31

    Abstract: 提供了一种显示装置,该显示装置包括显示面板、栅极驱动器和数据驱动器。该显示面板包括多条栅极线、多条数据线和多个像素组。所述栅极线沿第一方向延伸,并且依序接收栅极信号;所述数据线沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸,并且接收数据信号。每个像素组包括第一、第二和第三垂直像素,所述第一、第二和第三垂直像素沿第二方向延伸并且沿第一方向依序布置。第一至第三垂直像素被水平地布置并且电连接到三条连续的栅极线以接收栅极信号,并且连接到两条或更少的数据线以接收数据信号。

    液晶显示装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1908789A

    公开(公告)日:2007-02-07

    申请号:CN200610108364.7

    申请日:2006-08-02

    CPC classification number: G02F1/1393 G02F1/134309 G02F1/13439

    Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器(LCD),该LCD包括栅极线、数据线和像素电极,像素电极包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极。薄膜晶体管与栅极线和数据线结合,以向像素电极施加电压,存储电极与第一子像素电极和第二子像素电极部分地叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上,存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置,存储电极的第二侧部分突出并与第二子像素电极部分地叠置,存储电极包括存储电极延伸部分,存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。

    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1584720A

    公开(公告)日:2005-02-23

    申请号:CN200410058480.3

    申请日:2004-08-19

    CPC classification number: H01L29/41733 H01L27/124

    Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线,在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层,在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后,沉积钝化层,对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极,同时除去导电层的第二部分,完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极,露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。

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