公开(公告)号：CN101202291A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710305151.8

申请日：2007-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许承铉 ,  朴旻昱 ,  宋荣九 ,  洪权三

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/134336 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1393 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0443 ,  G09G2300/0465 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2310/0262

Abstract: 在阵列基板中，栅极线设置在基底基板上并在第一方向上延伸，数据线与栅极线绝缘并且与其交叉，并在第二方向上延伸。开关部分连接在栅极线和数据线之间。像素电极连接到开关部分并部分地和数据线交叠。像素电极具有开口，在平面图中，开口与数据线分开。

公开(公告)号：CN1580917A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410062409.2

申请日：2004-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正荣 ,  柳世桓 ,  全相镇 ,  朴旻昱

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻上部导电层、下部导电层、及半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻钝化层露出上部导电层第一部分和第二部分；除去上部导电层第一及第二部分，露出下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖下部导电层第一部分的像素电极；除去下部导电层第二部分，露出半导体层一部分；在半导体层露出部分上形成间隔材料支柱。

公开(公告)号：CN101154007B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200710163020.0

申请日：2007-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正浩 ,  朴旻昱

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/133 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/133707 ,  G02F1/1343 ,  G02F2201/122

Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器(LCD)及改进该LCD的视角的方法，该LCD包括第一基底、第二基底和置于第一基底和第二基底之间的液晶层。像素电极形成在第一基底上并设置有第一范围划分件。共电极形成在第二基底上并设置有第二范围划分件。第二范围划分件沿着第一方向和与第一方向对称的第二方向延伸，以具有第二范围划分件的弯曲部分。在共电极的平面图中，共电极具有锯齿形状的凹凸部分，凹凸部分设置在形成有弯曲部分的区域中。

公开(公告)号：CN101038925A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710101639.9

申请日：2007-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金仁雨 ,  宋荣九 ,  朴旻昱 ,  孙宇成 ,  秋玟亨 ,  郑敬锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/123

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管面板及其制造方法。该薄膜晶体管面板包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括具有开口的漏电极；以及接触该开口一部分的透明电极。

公开(公告)号：CN1584720A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410058480.3

申请日：2004-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴旻昱 ,  白范基 ,  李正荣 ,  崔权永 ,  郭相基 ,  全相镇

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。

公开(公告)号：CN1575525A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02820938.9

申请日：2002-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  孔香植 ,  朴旻昱 ,  全相镇

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明涉及一种制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基片的方法。在该方法中，在基片上形成包括栅极线、栅极、和栅极衬垫的横向栅极布线。然后，形成栅极绝缘层，在其上部顺次形成半导体层及欧姆接触层。接着，将导电层沉积在基片上，并制作布线图案形成包括与栅极线交叉的数据线、源极、漏极、和数据衬垫的数据布线。接着，将保护层和有机绝缘层沉积在基片上。将有机绝缘层进行曝光和显像，从而形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫上部保护层的接触孔。接着，将有机绝缘层作为掩膜蚀刻露出的保护层，露出漏极、栅极衬垫、以及数据衬垫。接着，通过固化收缩或回流有机绝缘层，以便在接触区域除去底切结构。在固化步骤之前抛光有机绝缘层。接着，将ITO或IZO沉积在有机绝缘层上，并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫连接的像素电极、辅助栅极衬垫、及辅助数据衬垫。

公开(公告)号：CN102213872A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110077603.8

申请日：2011-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 催京植 ,  朴明在 ,  朴旻昱 ,  金性勋 ,  李角锡 ,  申宇庭 ,  李俊协 ,  吴根灿 ,  金相均 ,  金寿桢 ,  朴乘范 ,  郑然鹤

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1339 ,  C09K19/56 ,  C09K19/38 ,  C09K3/10 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/134309 ,  C08G8/12 ,  C08G73/12 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/133723 ,  G02F1/133753 ,  G02F1/133788 ,  G02F1/1393 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2001/133742 ,  G02F2001/133746 ,  G02F2001/133761

Abstract: 本发明公开了一种显示面板、表面取向反应物、反应性液晶元、密封剂、液晶显示面板及其制造方法。液晶显示面板包括：第一基底，包括共电极；第二基底，包括以矩阵形式布置并面向共电极的多个像素，其中，至少一个像素包括第一子像素和第二子像素，第一子像素包括第一子像素电极，第一子像素电极包括多个第一微分支，所述多个第一微分支相对于与第一基底或第二基底邻近设置的偏振器的偏振轴以第一角度布置，第二子像素包括第二子像素电极，第二子像素电极包括多个第二微分支，所述多个第二微分支相对于所述偏振器的偏振轴以第二角度布置，其中，所述第一角度与所述第二角度相差大约20°或小于20°；液晶层，置于第一基底和第二基底之间。

公开(公告)号：CN1584720B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200410058480.3

申请日：2004-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴旻昱 ,  白范基 ,  李正荣 ,  崔权永 ,  郭相基 ,  全相镇

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。

公开(公告)号：CN101131514B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200710146544.9

申请日：2007-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴旻昱 ,  宋荣九 ,  金仁雨 ,  宋相宪

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/133707

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：第一基底、第二基底和插入在第一基底与第二基底之间的液晶层。在第一基底上限定像素区。像素电极包括切口图案并形成在像素区中。导电图案设置在第一基底与像素电极之间，且从平面图来观看时，导电图案与切口图案部分叠置。共电极设置在第二基底上，并包括将像素区划分为多个畴的畴划分件。阻光构件设置在第一基底和第二基底中的一个上，且位于与在像素区内切口图案与导电图案叠置的区域对应的位置。

公开(公告)号：CN1901209B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200610128565.3

申请日：2006-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金景旭 ,  朴旻昱

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(“TFT”)阵列面板。TFT阵列面板包括绝缘基板、形成在绝缘基板上并包括栅电极的栅线、与栅线绝缘并交叉且包括源电极的数据线、在栅线上与源电极相对配置的漏电极、和形成在数据线和栅线之间的层中并具有在漏电极之下延伸的伸出部分的半导体，其中该半导体的从数据线占据的区域向漏电极延伸的部分设置在包括栅电极的栅线的占据区域内。