公开(公告)号：CN103383861B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310168094.9

申请日：2013-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昺熙 ,  郭东勋

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G06F3/0605 ,  G06F3/061 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0292 ,  G06F12/0638 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/205 ,  G11C7/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3454

Abstract: 一种用于存储系统的编程方法，所述存储系统包括三维非易失性存储器和随机存取存储器，所述三维非易失性存储器具有多级存储单元。该方法在三维非易失性存储器中的一行存储单元的编程期间使用随机存取存储器来不同地存储多比特数据的所选比特。

公开(公告)号：CN119785853A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411675139.6

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  南尚完 ,  尹治元

IPC: G11C16/30 ,  G11C16/14 ,  G11C16/08

Abstract: 提供了一种存储器件，所述存储器件包括存储单元阵列和控制器，所述存储单元阵列包括多条字线、设置在所述多条字线上方的至少一条选择线以及穿过所述多条字线和所述至少一条选择线的沟道区，所述多条字线和所述沟道区提供多个存储单元。所述控制器通过顺序地执行第一编程操作和第二编程操作，将数据存储在所述多个存储单元中的编程存储单元中，并且基于关于所述编程存储单元的信息，确定在所述第一编程操作中输入到连接到所述编程存储单元的编程字线的编程电压。

公开(公告)号：CN111312314B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN201910874967.5

申请日：2019-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/04

Abstract: 一种操作非易失性存储器设备的方法包括在包括第一部分、第二部分和第三部分的第一感测时间期间在非易失性存储器设备上执行第一感测操作。执行第一感测操作包括：在第一部分中，将根据第一目标电压电平可变的第一电压电平施加到选定字线；在第二部分中，将与第一电压电平不同的第二电压电平施加到选定字线；以及，在第三部分中，将与第二电压电平不同的第一目标电压电平施加到选定字线。随着第一目标电压电平变大，第一电压电平变大。

公开(公告)号：CN111667859A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010483944.4

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  姜熙雄 ,  徐準浩 ,  李熙元

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/12

Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。

公开(公告)号：CN104637535B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201410643554.3

申请日：2014-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  朴起台

IPC: G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。

公开(公告)号：CN104282337B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201410309432.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  沈烔教 ,  朴起台 ,  朴贤郁

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种存储设备的写方法包括：基于关于存储器件的存储单元的信息确定是否执行粗编程操作，响应于对将执行粗编程操作的确定，通过执行粗编程操作和细编程操作来在存储器件中对数据进行编程，以及响应于对将不执行粗编程操作的确定，通过执行细编程操作来在存储器件中对数据进行编程。

公开(公告)号：CN107578793A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710535973.9

申请日：2017-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜熙雄 ,  郭东勋 ,  边大锡 ,  李柱硕

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/10 ,  G11C5/02

CPC classification number: G11C16/16 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3445

Abstract: 提供了非易失性存储器系统和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器系统包括非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的存储器控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块。每个存储器块包括多个存储器单元。每个存储器单元具有擦除状态和多个不同的编程状态中的任意一种状态。非易失性存储器系统的操作方法包括从外部装置接收物理擦除命令。该操作方法也包括：响应于接收的物理擦除命令，针对至少一个存储器块执行快速擦除操作，使得所述至少一个存储器块的第一存储器单元具有与擦除状态不同的快速擦除状态。

公开(公告)号：CN104637535A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410643554.3

申请日：2014-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  朴起台

IPC: G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。

公开(公告)号：CN104282337A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410309432.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  沈烔教 ,  朴起台 ,  朴贤郁

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种存储设备的写方法包括：基于关于存储器件的存储单元的信息确定是否执行粗编程操作，响应于对将执行粗编程操作的确定，通过执行粗编程操作和细编程操作来在存储器件中对数据进行编程，以及响应于对将不执行粗编程操作的确定，通过执行细编程操作来在存储器件中对数据进行编程。

公开(公告)号：CN103578551A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310343797.0

申请日：2013-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3459

Abstract: 本发明公开了非易失性存储器件和编程方法，非易失性存储器包括设置在物理页中的多层级存储单元的存储单元阵列。一种用于非易失性存储器的编程方法包括：接收第一数据并且根据物理页的单比特页容量对第一数据进行分割从而生成已分割第一数据；将已分割第一数据作为单比特数据编程到多个物理页；以及接收第二数据并且将第二数据作为多比特数据编程到所述多个物理页当中的所选物理页，其中第二数据被同时编程到所选物理页的多层级存储单元。