公开(公告)号：CN107578793B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201710535973.9

申请日：2017-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜熙雄 ,  郭东勋 ,  边大锡 ,  李柱硕

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/10 ,  G11C5/02

Abstract: 提供了非易失性存储器系统和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器系统包括非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的存储器控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块。每个存储器块包括多个存储器单元。每个存储器单元具有擦除状态和多个不同的编程状态中的任意一种状态。非易失性存储器系统的操作方法包括从外部装置接收物理擦除命令。该操作方法也包括：响应于接收的物理擦除命令，针对至少一个存储器块执行快速擦除操作，使得所述至少一个存储器块的第一存储器单元具有与擦除状态不同的快速擦除状态。

公开(公告)号：CN105374388A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510510698.6

申请日：2015-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李柱硕

IPC: G11C8/08 ,  G11C8/12

Abstract: 本发明公开了一种操作存储装置的方法和存储器装置，所述方法可包括步骤：接收读命令和读地址；基于读地址在对应于被选中串选择线和被选中字线的被选中存储器单元上执行读操作；以及在未选中的存储器单元上执行可靠性验证读取。可将通过读操作读取的数据输出至外部装置，并且可不将通过可靠性验证读取所读的数据输出至外部装置。

公开(公告)号：CN109119115A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810461051.2

申请日：2018-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善劲 ,  金柄宅 ,  金容锡 ,  李柱硕

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/12 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/562 ,  G11C2211/5621 ,  G11C16/30

Abstract: 一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括第一开关单元、第二开关单元和多个存储单元，所述多个存储单元设置在所述第一开关单元和所述第二开关单元之间并连接到多个字线；和控制电路，被配置为通过将编程电压提供给所述多个字线之中的第一字线，将开关电压提供给所述多个字线之中的第二字线以及将通过电压提供给所述多个字线之中的剩余字线来执行编程操作。其中所述控制电路被配置为在所述编程操作的第一部分中关断所述第一开关单元和所述第二开关单元，并且被配置为在比第一部分稍后的编程操作的第二部分中导通所述第一开关单元并增加所述开关电压。

公开(公告)号：CN103106924B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201210375708.6

申请日：2012-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱相炫 ,  宋基焕 ,  李柱硕 ,  崔奇焕

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C2211/563

Abstract: 一种非易失性存储器件的软判决读取方法包含：接收软判决读取命令；向被选字线施加读取电压；对分别连接到该被选字线的被选存储单元的位线进行预充电；以及连续地感测该被选存储单元的状态。位线的预充电电压和供应到被选字线的读取电压在感测被选存储单元的状态期间不改变。

公开(公告)号：CN107578793A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710535973.9

申请日：2017-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜熙雄 ,  郭东勋 ,  边大锡 ,  李柱硕

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/10 ,  G11C5/02

CPC classification number: G11C16/16 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3445

Abstract: 提供了非易失性存储器系统和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器系统包括非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的存储器控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块。每个存储器块包括多个存储器单元。每个存储器单元具有擦除状态和多个不同的编程状态中的任意一种状态。非易失性存储器系统的操作方法包括从外部装置接收物理擦除命令。该操作方法也包括：响应于接收的物理擦除命令，针对至少一个存储器块执行快速擦除操作，使得所述至少一个存储器块的第一存储器单元具有与擦除状态不同的快速擦除状态。

公开(公告)号：CN103106924A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210375708.6

申请日：2012-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱相炫 ,  宋基焕 ,  李柱硕 ,  崔奇焕

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C2211/563

Abstract: 一种非易失性存储器件的软判决读取方法包含：接收软判决读取命令；向被选字线施加读取电压；对分别连接到该被选字线的被选存储单元的位线进行预充电；以及连续地感测该被选存储单元的状态。位线的预充电电压和供应到被选字线的读取电压在感测被选存储单元的状态期间不改变。

公开(公告)号：CN109119115B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201810461051.2

申请日：2018-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善劲 ,  金柄宅 ,  金容锡 ,  李柱硕

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/12 ,  G11C16/30

Abstract: 一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括第一开关单元、第二开关单元和多个存储单元，所述多个存储单元设置在所述第一开关单元和所述第二开关单元之间并连接到多个字线；和控制电路，被配置为通过将编程电压提供给所述多个字线之中的第一字线，将开关电压提供给所述多个字线之中的第二字线以及将通过电压提供给所述多个字线之中的剩余字线来执行编程操作。其中所述控制电路被配置为在所述编程操作的第一部分中关断所述第一开关单元和所述第二开关单元，并且被配置为在比第一部分稍后的编程操作的第二部分中导通所述第一开关单元并增加所述开关电压。

公开(公告)号：CN105374388B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201510510698.6

申请日：2015-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李柱硕

IPC: G11C8/08 ,  G11C8/12

Abstract: 本发明公开了一种操作存储装置的方法和存储器装置，所述方法可包括步骤：接收读命令和读地址；基于读地址在对应于被选中串选择线和被选中字线的被选中存储器单元上执行读操作；以及在未选中的存储器单元上执行可靠性验证读取。可将通过读操作读取的数据输出至外部装置，并且可不将通过可靠性验证读取所读的数据输出至外部装置。