-
公开(公告)号：CN1858912A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610075339.3
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14609 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法，图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，控制电路包括多个第二栅极介电层，其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。
-
公开(公告)号：CN113013184B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202011186699.7
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。
-
公开(公告)号：CN118538742A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311593567.X
申请日：2023-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有在竖直方向上彼此间隔开的第一表面和第二表面；第一颜色单位像素，包括以2×2矩阵布置的第一子像素至第四子像素；第二颜色单位像素，包括以2×2矩阵布置的四个子像素；第一像素隔离沟槽，使第一颜色单位像素和第二颜色单位像素分离；第二像素隔离沟槽，使第一颜色单位像素的第一子像素和第二子像素分离；第三像素隔离沟槽，位于第一颜色单位像素的第一子像素至第四子像素的交叉点上。第一颜色单位像素检测第一颜色光。第二颜色单位像素检测第二颜色光。所述图像传感器被构造为在第二表面上接收第一颜色光。第二像素隔离沟槽从第一表面向第二表面延伸。第三像素隔离沟槽从第二表面向第一表面延伸。
-
公开(公告)号：CN118057615A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202311546744.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：基底，包括第一表面和第二表面，并且包括其中的多个光电转换元件。多个像素，可设置在基底中；多个像素分隔结构，可被配置为分隔所述多个像素；以及多个接触件，可分别连接到所述多个像素分隔结构。所述多个接触件之中的第一接触件可被配置为将电流施加到多个像素分隔结构中的第一部分，并且所述多个接触件之中的第二接触件被配置为检测来自所述多个像素分隔结构的第二部分的电流。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117080230A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310535413.9
申请日：2023-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底具有设置在其中的光电转换元件；钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸；导电图案，所述导电图案设置在所述钝化层上；以及粘合层，所述粘合层沉积在所述钝化层和所述导电图案上，其中，所述导电图案包括：第一平坦区域，所述第一平坦区域设置在所述钝化层上并且在所述第一方向上延伸；以及倾斜区域，所述倾斜区域连接到所述第一平坦区域，其中，所述倾斜区域的第一顶面从所述第一平坦区域的第二顶面弯曲，其中，所述第一顶面相对于所述第二顶面具有恒定斜度。
-
公开(公告)号：CN114823754A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210043691.8
申请日：2022-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括像素区域；绝缘结构，位于基底上；网格图案结构，位于绝缘结构上；滤色器，位于绝缘结构上；以及微透镜，位于滤色器上。网格图案结构包括第一图案部分和第二图案部分。第一图案部分包括位于绝缘结构上的第一材料图案和位于第一材料图案上的第二材料图案。第一材料图案由第一材料形成，并且第二材料图案和第二图案部分由第二材料形成。第一图案部分包括平行的第一水平直线部分以及平行的第一竖直直线部分，并且第二图案部分中的每个包括平行于第一水平直线部分的第二水平直线部分以及平行于第一竖直直线部分的第二竖直直线部分。
-
公开(公告)号：CN113540133A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110186790.7
申请日：2021-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：衬底，该衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面；隔离图案，该隔离图案在衬底中限定多个像素区；多个接触插塞，在衬底的第一表面上并且耦接到隔离图案；以及多个第一微透镜图案，在衬底的第二表面上。该接触插塞包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞。该隔离图案的一部分延伸以跨过衬底中的第一区和第二区。第一区与第一接触插塞竖直重叠。第二区与第二接触插塞竖直重叠。
-
公开(公告)号：CN113013184A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011186699.7
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。
-
公开(公告)号：CN110875341A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910800437.6
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；像素元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部并在半导体基板中限定多个有源像素；以及虚设元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部，在平面图中沿有源像素的至少一侧延伸，并在半导体基板中限定多个虚设像素。像素元件隔离膜可以具有与第一表面基本上共面的第一端，并且在平行于第一表面的第一方向上具有第一宽度，虚设元件隔离膜具有与第一表面基本上共面的第一端，并且具有大于像素元件隔离膜的第一宽度的第二宽度。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.035 seconds)
