公开(公告)号：CN110875341B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201910800437.6

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩大韩 ,  金善贤 ,  金汉锡 ,  宋充镐 ,  李京姬 ,  郑熙根

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；像素元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部并在半导体基板中限定多个有源像素；以及虚设元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部，在平面图中沿有源像素的至少一侧延伸，并在半导体基板中限定多个虚设像素。像素元件隔离膜可以具有与第一表面基本上共面的第一端，并且在平行于第一表面的第一方向上具有第一宽度，虚设元件隔离膜具有与第一表面基本上共面的第一端，并且具有大于像素元件隔离膜的第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN115600683A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210363048.3

申请日：2022-04-07

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 前田茂伸 ,  金郁 ,  金洪植 ,  金希俊 ,  朴世永 ,  柳盛振 ,  尹民洪 ,  韩大韩

IPC: G06N20/00 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了半导体工艺建模系统和方法。该半导体工艺建模系统包括预处理组件，该预处理组件被配置为根据从半导体制造设备获得的原始数据生成张量数据，其中，当原始数据表示为对多个晶片中每一个晶片的多个工艺参数的值加以表示的原始矩阵时，省略原始矩阵的至少一个元素，当张量数据表示为对多个晶片中每一个晶片的多个预处理工艺参数的值加以表示的张量矩阵时，张量矩阵的被省略元素的数量小于原始矩阵的被省略元素的数量；以及预处理组件被配置为通过基于半导体制造设备的特性和多个工艺参数的特性中的至少一种特性修改原始数据来生成张量数据。

公开(公告)号：CN110875341A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910800437.6

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩大韩 ,  金善贤 ,  金汉锡 ,  宋充镐 ,  李京姬 ,  郑熙根

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；像素元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部并在半导体基板中限定多个有源像素；以及虚设元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部，在平面图中沿有源像素的至少一侧延伸，并在半导体基板中限定多个虚设像素。像素元件隔离膜可以具有与第一表面基本上共面的第一端，并且在平行于第一表面的第一方向上具有第一宽度，虚设元件隔离膜具有与第一表面基本上共面的第一端，并且具有大于像素元件隔离膜的第一宽度的第二宽度。