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公开(公告)号：CN117334232A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310767019.8
申请日：2023-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器装置的操作方法，存储器装置具有与字线连接的存储器块，所述方法包括：(1)从存储器控制器接收命令，(2)激活第一块选择信号，第一块选择信号控制被配置为将与存储器块连接的字线与驱动线连接的第一通过晶体管，以及(3)控制字线使得执行对应于命令的第一操作。在完成第一操作之后，该方法还包括：(4)用第一电压对存储器块的沟道预充电，以及(5)执行模式恢复操作使得用恢复电压控制字线。模式恢复操作包括：去激活第一块选择信号。
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公开(公告)号：CN109524045B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201810705803.5
申请日：2018-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 非易失性存储器器件的操作方法包括：将编程电压施加到所选择的字线并对连接到所选择的字线的所选择的存储器单元进行编程；读取连接到所选择的字线的相邻字线的相邻存储器单元；以及通过调整所选择的存储器单元与感测节点之间的电荷共享来验证所选择的存储器单元，其中该感测节点通过位线连接到所选择的存储器单元。
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公开(公告)号：CN114078545A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110634867.2
申请日：2021-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种由非易失性存储系统检测存储单元块中的缺陷存储单元块的方法包括：在执行擦除操作之后，基于与读参考电压不同的截止单元检测电压，对目标存储单元块中包括的至少一些存储单元执行读操作，该读参考电压将没有写入数据的截止单元与写入有数据的接通单元区分开；基于执行读操作的结果，对存储单元中具有比截止单元检测电压高的阈值电压的硬截止单元的数量进行计数；以及基于所计数的硬截止单元的数量，识别目标存储单元块是否是缺陷存储单元块。
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公开(公告)号：CN114078544A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110534260.7
申请日：2021-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包括非易失性存储器装置的存储器系统及其擦除方法。一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储器系统的故障检测方法，所述故障检测方法包括：由存储器控制器对连接到传输晶体管的字线的擦除的数量进行计数；当擦除的数量达到参考值时，由存储器控制器发出第一擦除命令；响应于第一擦除命令，由非易失性存储器装置施加第一电压，第一电压使得传输晶体管的栅极‑源极电位差具有第一值；在施加第一电压之后，由存储器控制器检测所述字线中的漏电流；以及当由漏电流引起的漏电压大于第一阈值时，由存储器控制器将所述字线确定为故障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113971980A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110838953.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括存储单元阵列以及控制逻辑，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元在相对于衬底的垂直方向上形成多个串，所述控制逻辑被配置为：响应于写入命令从多个串检测未打开的串(N/O串)，以及对要被编程在所述N/O串中的多个目标存储单元上的多条目标数据进行转换，使得所述多条目标数据具有限制向所述多个目标存储单元施加编程电压的次数的值。
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公开(公告)号：CN113948140A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110804646.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：包含第一串选择晶体管、第一存储单元和第一接地选择晶体管的第一串；包含第二串选择晶体管、第二存储单元和第二接地选择晶体管的第二串；和控制器，从第一时间向第一串选择线施加通过电压，在从第一时间至第二时间的第一读取时段期间向第一字线施加第一读取电压，从第一时间向第一接地选择线施加第一接地选择线电压，向第二串选择线施加接地电压，在第一控制时段期间向第二接地选择线施加第一接地选择线电压，以及在第一控制时段期间向公共源极线施加第一公共源极线电压。
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公开(公告)号：CN113921066A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110766162.6
申请日：2021-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/14
Abstract: 在包括一个或多个存储器块的非易失性存储器设备中擦除数据的方法中，在每个存储器块中多个存储器单元在垂直方向上被设置。对一个或多个存储器块中的整个第一存储器块执行一次或多次擦除循环。在擦除循环成功完成之后，对第一存储器块中的多个组中的一个或多个组执行第一局部验证操作。在第一局部验证操作成功完成之后，确定对于一个或多个组中的组是否需要第二局部验证操作。对多个组之中的需要第二局部验证操作的第一组中的多个子组中的一个或多个子组执行第二局部验证操作。
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公开(公告)号：CN109524045A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201810705803.5
申请日：2018-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/34 , G11C16/3459 , G11C16/3436
Abstract: 非易失性存储器器件的操作方法包括：将编程电压施加到所选择的字线并对连接到所选择的字线的所选择的存储器单元进行编程；读取连接到所选择的字线的相邻字线的相邻存储器单元；以及通过调整所选择的存储器单元与感测节点之间的电荷共享来验证所选择的存储器单元，其中该感测节点通过位线连接到所选择的存储器单元。
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公开(公告)号：CN109119117A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810668463.3
申请日：2018-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/24 , H01L27/11551
Abstract: 一种三维非易失性存储器装置，其包括单元串。所述单元串包括柱结构，其包括竖直地堆叠在衬底上的地选择晶体管、多个存储器单元和串选择晶体管。存储器单元包括第一单元组和堆叠在第一单元组上的第二单元组，并且柱结构的至少一部分的水平宽度朝着衬底在深度方向上减小。对存储器装置编程的方法包括：通过柱结构的地选择晶体管将单元串的第一单元组的存储器单元的沟道初始化；以及随后将编程电压施加至单元串的柱结构的存储器单元。
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