公开(公告)号：CN114078544A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110534260.7

申请日：2021-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙铭浩 ,  郑原宅 ,  南釜一

IPC: G11C16/34 ,  G11C29/50

Abstract: 提供了包括非易失性存储器装置的存储器系统及其擦除方法。一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储器系统的故障检测方法，所述故障检测方法包括：由存储器控制器对连接到传输晶体管的字线的擦除的数量进行计数；当擦除的数量达到参考值时，由存储器控制器发出第一擦除命令；响应于第一擦除命令，由非易失性存储器装置施加第一电压，第一电压使得传输晶体管的栅极‑源极电位差具有第一值；在施加第一电压之后，由存储器控制器检测所述字线中的漏电流；以及当由漏电流引起的漏电压大于第一阈值时，由存储器控制器将所述字线确定为故障。

公开(公告)号：CN118262779A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311450740.0

申请日：2023-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金九荣 ,  文永瑄 ,  孙铭浩 ,  黄柱殷

IPC: G11C29/56 ,  G11C29/12

Abstract: 分选出存在潜在故障风险的半导体芯片的装置包括存储器和处理器，所述处理器：根据晶片的检查结果生成测试结果图和距离图，基于所述测试结果图和所述距离图，计算被确定为检查通过的目标半导体芯片的潜在故障风险值，并且基于所述潜在故障风险值分选出所述存在潜在故障风险的目标半导体芯片。

公开(公告)号：CN116434809A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310031667.7

申请日：2023-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙铭浩 ,  郑斗连 ,  丁成官

IPC: G11C29/04

Abstract: 一种存储器设备的操作方法，包括：获取第一坏字线的地址，该第一坏字线被包括在存储器设备的多条字线中；基于第一坏字线的地址检测与第一坏字线相邻的字线是否是坏的，该与第一坏字线相邻的字线被包括在该多条字线中；将与第一坏字线相邻的字线中的第一字线指定为禁止的字线，该第一字线被检测为第二坏字线；以及经由与第一坏字线相邻的字线当中的第二字线发送第一数据，该第二字线被检测为正常字线。