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公开(公告)号:CN100543537C
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200510083347.8
申请日:2005-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , B05B3/00
Abstract: 本发明公开了一种基板处理设备及使用其的基板处理方法,该基板处理设备包括处理溶液分配器、传送单元和控制器,处理溶液分配器在基板上提供处理溶液,传送单元传送基板,而控制器控制传送单元使得基板以倾斜状态被传送。相对于平行于基板的传送方向延伸的轴旋转基板使其向侧向倾斜。该旋转可以以交替方式在两个相反方向进行。该设备可以不考虑基板的尺寸而用于均匀地处理基板。
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公开(公告)号:CN100442539C
公开(公告)日:2008-12-10
申请号:CN02828517.4
申请日:2002-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/28008 , G03F7/0047 , H01L21/288 , H01L21/32051 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L51/0003 , H01L51/0015 , H01L51/0021 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及一种金属图案的形成方法及利用该金属图案形成方法的薄膜晶体管阵列面板制造方法,通过涂布含金属的有机金属络合物形成有机金属层。通过光掩模将该有机金属层曝光,并且显像以形成金属图案。
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公开(公告)号:CN1769528A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200510117515.0
申请日:2005-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列面板的方法,包括:在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线;在栅极线上顺序沉积栅极绝缘层及半导体层;在栅极绝缘层及半导体层上形成漏电极和具有源电极的数据线;并形成连接至漏电极的像素电极。这些元件可以使用含有65wt%至75wt%的磷酸、0.5wt%至15wt%的硝酸、2wt%至15wt%的醋酸、0.1wt%至8.0wt%的钾化合物、以及去离子水的蚀刻剂通过光蚀刻形成。TFT阵列面板的各个元件可以在类似的条件下形成有本发明的蚀刻剂的图样,这简化了制造工艺并节约了成本,并使得TFT元件具有良好的剖面。
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公开(公告)号:CN1597134A
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN200410078042.3
申请日:2004-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B05B9/00 , B05B12/10 , G02F1/1333
CPC classification number: B05B1/205 , B05C11/1007 , B05C11/1042 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供了一种生产用溶液供给系统以及用于方便地供给生产用溶液的方法。生产用溶液供给装置在可控的温度下将生产用溶液提供给用于通过多个喷头将生产用溶液喷射到基片上的处理装置。将生产用溶液通过通道输送到喷头,在一个实施例中,其可包括管道装置。通道可方便地利用连接管、热传感器、及管道装置控制温度,以便从多个喷头喷射的生产用溶液的温度基本等于最初从生产用溶液供给装置供给的生产用溶液的温度。
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