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公开(公告)号：CN100494226C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200410097396.2
申请日：2004-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , C07D311/78 , C08F34/02 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115
Abstract: 本发明提供多种单体，所述单体适用于通过包括至少一种多环烯基醚和一种α-氟化丙烯酸酯的自由基(阳离子)聚合制造光敏聚合物，所述光敏聚合物又可用于光致抗蚀剂组合物中。得到的光致抗蚀剂组合物表现出可接受的抗干法蚀刻性和透光率，其在光刻法中适用于多种光源，以制造精细的光致抗蚀剂图形，所述光源如KrF准分子激光器、ArF准分子激光器或F2准分子激光器。除了多环烯基醚和α-氟化丙烯酸酯之外，可向所述光敏聚合物引入另外的单体，所述单体包括一种或多种未取代的和取代的环状脂肪族化合物和杂环化合物，特别是二氢吡喃。然后可通过将这些不同的单体单元结合形成共聚物、三元共聚物和更多元的聚合物制造光敏聚合物，所述光敏聚合物的示例性实施方案通常由式V表示。
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公开(公告)号：CN100385622C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200310124851.9
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/40
CPC classification number: G03F7/40 , Y10S430/143
Abstract: 一种通过形成ArF抗蚀剂图形，然后通过在热处理期间将抗蚀剂图形暴露在VUV(真空紫外线)受激准分子激光器的辐射或E-束辐射中以减小图形开口的尺寸，在半导体器件上形成精细图形，特别是接触孔的方法，以临时减小抗蚀剂图形的Tg，并允许它流动，从而减小图形中的间隔和开口。
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公开(公告)号：CN1779978A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510113434.3
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/0207 , H01L27/10882 , H01L27/11502
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括具有多个有源区的衬底和在衬底上围绕衬底的有源区的场隔离层。多个有源区的每一个在第一轴的方向上可以具有一长度和在第二轴的方向上可以具有一宽度，以及该长度可以大于该宽度。多个有源区可以被设置在第二轴的方向上的有源区的多个列中，以及相邻列的有源区在第二轴的方向上可以偏移。
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公开(公告)号：CN1734352A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087449.7
申请日：2005-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/0752 , G03F7/165 , H01L21/0274
Abstract: 提供一种包括含硅的自安装分子层的掩模图形，形成该掩模图形的方法以及制造半导体器件的方法。掩模图形包括在半导体衬底上形成的抗蚀剂图形和在抗蚀剂图形上形成的自安装分子层。自安装分子层具有通过溶胶－凝胶反应形成的硅石网状。为了形成掩模图形，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开口的抗蚀剂图形，以露出底层至第一宽度。然后，仅仅在抗蚀剂图形的表面上有选择地形成自安装分子层，以露出底层至第二宽度，第二宽度小于第一宽度。通过使用抗蚀剂图形和自安装的分子层作为刻蚀掩模刻蚀底层，获得精细图形。
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公开(公告)号：CN101750874B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910253239.9
申请日：2009-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/68 , G03F1/78 , G03F1/80 , H01J37/317
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/80 , H01J37/3174
Abstract: 本发明提供远紫外光掩模以及制造远紫外光掩模的方法和装置，其中制造光掩模的方法包括：在光掩模基板上形成上层，并且图案化该上层，以形成具有倾斜侧壁的上图案，其中图案化上层包括利用带电粒子各向异性蚀刻上层，该带电粒子平行于第一方向移动，该第一方向朝上层的顶表面倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1752844B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200510106920.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/31144
Abstract: 形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，通过抗蚀剂图形的开口露出部分层。在抗蚀剂图形上可以形成有机-无机混合硅氧烷网状薄膜。然后通过抗蚀剂图形和有机-无机混合硅氧烷网状薄膜露出的部分层可以被除去。也论述了相关结构。
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公开(公告)号：CN1790161A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510125198.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/00 , H01L21/027 , C08F38/00
Abstract: 本发明提供包括具有sp3碳主架的聚合物的聚合薄膜，sp3碳主架包括四面体中心原子。还提供了形成该聚合薄膜的方法、包括该聚合薄膜的硬掩膜以及使用该聚合薄膜形成精细图形的方法。
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公开(公告)号：CN1637027A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410097396.2
申请日：2004-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , C07D311/78 , C08F34/02 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115
Abstract: 本发明提供多种单体，所述单体适用于通过包括至少一种多环烯基醚和一种α－氟化丙烯酸酯的自由基(阳离子)聚合制造光敏聚合物，所述光敏聚合物又可用于光致抗蚀剂组合物中。得到的光致抗蚀剂组合物表现出可接受的抗干法蚀刻性和透光率，其在光刻法中适用于多种光源，以制造精细的光致抗蚀剂图形，所述光源如KrF准分子激光器、ArF准分子激光器或F2准分子激光器。除了多环烯基醚和α－氟化丙烯酸酯之外，可向所述光敏聚合物引入另外的单体，所述单体包括一种或多种未取代的和取代的环状脂肪族化合物和杂环化合物，特别是二氢吡喃。然后可通过将这些不同的单体单元结合形成共聚物、三元共聚物和更多元的聚合物制造光敏聚合物，所述光敏聚合物的示例性实施方案通常由下式V表示。
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