公开(公告)号：CN1199245A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN98106601.1

申请日：1998-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣善 ,  金景勋 ,  元晳俊 ,  南甲镇 ,  金荣敏 ,  金荣大 ,  朴泳旭 ,  李承恒 ,  李相协 ,  沈世镇 ,  陈裕赞 ,  文周泰 ,  崔珍爽

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤:通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如,硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如,氮化硅),然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成,以防止介电层和下电极之间的反应,也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成,以增大电容量。

公开(公告)号：CN1130761C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98106601.1

申请日：1998-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣善 ,  金景勋 ,  元晳俊 ,  南甲镇 ,  金荣敏 ,  金荣大 ,  朴泳旭 ,  李承恒 ,  李相协 ,  沈世镇 ,  陈裕赞 ,  文周泰 ,  崔珍爽

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤：通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如，硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如，氮化硅)，然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成，以防止介电层和下电极之间的反应，也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成，以增大电容量。

公开(公告)号：CN1779978A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510113434.3

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具斗训 ,  赵汉九 ,  文周泰 ,  禹相均 ,  吕起成 ,  白炅润

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10814 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/11502

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括具有多个有源区的衬底和在衬底上围绕衬底的有源区的场隔离层。多个有源区的每一个在第一轴的方向上可以具有一长度和在第二轴的方向上可以具有一宽度，以及该长度可以大于该宽度。多个有源区可以被设置在第二轴的方向上的有源区的多个列中，以及相邻列的有源区在第二轴的方向上可以偏移。