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公开(公告)号：CN104240753B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410185178.8
申请日：2014-05-04
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
IPC: G11C11/413 , G11C11/56
Abstract: 提供了一种突触阵列、脉冲整形电路和神经形态系统。所述突触阵列包括多个突触电路。所述多个突触电路中的至少一个突触电路包括至少一个偏压晶体管和至少两个截止晶体管，并且所述至少一个突触电路被构造为使用通过所述至少一个偏压晶体管的亚阈值泄漏电流来给与所述至少一个突触电路连接的神经元电路的膜节点充电。
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公开(公告)号：CN104240753A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410185178.8
申请日：2014-05-04
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
IPC: G11C11/413 , G11C11/56
Abstract: 本发明提供了一种突触阵列、脉冲整形电路和神经形态系统。所述突触阵列包括多个突触电路。所述多个突触电路中的至少一个突触电路包括至少一个偏压晶体管和至少两个截止晶体管，并且所述至少一个突触电路被构造为使用通过所述至少一个偏压晶体管的亚阈值泄漏电流来给与所述至少一个突触电路连接的神经元电路的膜节点充电。
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公开(公告)号：CN100466099C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN03101052.0
申请日：2003-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C7/04 , G11C7/06 , G11C7/22 , G11C7/227 , G11C2207/2281
Abstract: 公开了一种具有位线感知使能信号生成电路的半导体存储器件。该半导体存储器件，包括：字线选择信号生成电路，用于为选择字线而生成字线选择信号；延时电路，用于通过将参考信号延时至字线选择信号生成电路所需的、相同时间程度来生成经延时的信号，以生成字线选择信号；和施密特触发器，用于通过接收来自延时电路的输出信号来生成字线使能检测信号，并且将该施密特触发器连接到电源电压，该电源电压的电压电平与用于使字线有效的电压电平相同。相对于传统的半导体存储器件，根据本发明的位线感知使能信号生成电路占有较小的布局面积。此外，该生成电路生成位线感知使能信号，该信号具有恒定的延时而不受过程变化或者电压和温度波动的影响。
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公开(公告)号：CN1395310A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02140144.6
申请日：2002-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈载润
IPC: H01L27/00
CPC classification number: G05F3/245 , Y10S323/907
Abstract: 本发明提供一种温度补偿的基准电压发生器，包括：温度补偿的分压器或可变电压发生器，用于将一输入的基准电压分压，以便产生温度补偿的输出电压。最好包括：第一差分放大器，用于放大第一基准电压和第一反馈电压之间的电压差，以便输出一内部基准电压；第一分压器，用于响应于温度补偿的电压产生和输出第一反馈电压，该第一分压器进一步包括两个用于控制基准电压的幅值的电阻元件。在本发明的一个实施例中，MOS晶体管工作在弱转换区以补偿温度变化，因此产生温度补偿的基准电压并因此产生温度补偿的电源电压，从而降低由温度变化引起的半导体器件的性能波动。
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公开(公告)号：CN1392568A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN02118950.1
申请日：2002-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C8/08
CPC classification number: G11C11/4085 , G11C8/08
Abstract: 一种利用负偏压字线方案的存储器件在预充电操作的过程中将字线放电电流从负电压源中转移，由此降低电压波动并减小了负电压源的电流消耗。在预充电操作的过程中将主字线、子字线、字线启动信号或其它类型的字线耦合到负电压源。在预充电操作的过程中字线也耦合到第二电源，然后在大部分字线放电电流已经转移之后与第二电源断开。然后负电压源可以放电字线并将其保持在负偏压。
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