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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118298876A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311413300.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08
Abstract: 提供了非易失性存储器件及其操作方法。所述操作方法包括：接收读取命令；在字线设置时段期间将对多条未选接地选择线施加的电压从关断电压增大到接通电压；对与第一工艺特性相对应的第一选定接地选择线施加第一电压，直到所述字线设置时段内的第一时间；在所述字线设置时段内的所述第一时间之后，对所述第一选定接地选择线施加第二电压；对与第二工艺特性相对应的第二选定接地选择线施加所述第一电压，直到所述字线设置时段内早于所述第一时间的第二时间；以及在所述字线设置时段内的所述第二时间之后，对所述第二选定接地选择线施加所述第二电压。
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公开(公告)号：CN112542201B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010518087.7
申请日：2020-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备及操作该存储设备的方法。所述存储设备包括：第一非易失性存储器芯片；第二非易失性存储器芯片；以及控制器。所述控制器可以包括：处理器，被配置为执行加载到片上存储器的闪存转换层；ECC引擎，被配置为在所述处理器的控制下生成数据的第一奇偶校验位，并且选择性地生成所述数据的第二奇偶校验位；以及非易失性存储器接口电路，被配置为向所述第一非易失性存储器芯片发送所述数据和所述第一奇偶校验位，并且选择性地向所述第二非易失性存储器芯片发送选择性地生成的所述第二奇偶校验位。
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公开(公告)号：CN112542201A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010518087.7
申请日：2020-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备及操作该存储设备的方法。所述存储设备包括：第一非易失性存储器芯片；第二非易失性存储器芯片；以及控制器。所述控制器可以包括：处理器，被配置为执行加载到片上存储器的闪存转换层；ECC引擎，被配置为在所述处理器的控制下生成数据的第一奇偶校验位，并且选择性地生成所述数据的第二奇偶校验位；以及非易失性存储器接口电路，被配置为向所述第一非易失性存储器芯片发送所述数据和所述第一奇偶校验位，并且选择性地向所述第二非易失性存储器芯片发送选择性地生成的所述第二奇偶校验位。
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公开(公告)号：CN102543186B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110430447.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C5/14 , G11C5/143 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/30 , G11C16/3459 , G11C2211/5641
Abstract: 一种负电压生成器包括：直流电压生成器，其被配置成生成直流电压；参考电压生成器，其被配置成生成参考电压；振荡器，其被配置成生成振荡时钟；电荷泵，其被配置成响应于泵时钟生成负电压；以及电压检测器。该电压检测器被配置成通过比较分压电压和参考电压来检测负电压，并基于振荡时钟生成与检测的负电压相对应的泵时钟，其中该分压电压是通过对所述直流电压分压得到的。
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公开(公告)号：CN102446553A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110293638.5
申请日：2011-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/30 , G11C16/3436
Abstract: 一种快闪存储器的字线电压生成方法包括：使用正电压生成器生成编程电压；使用负电压生成器生成与多个负数据状态相对应的多个负编程验证电压；以及使用所述正电压生成器生成与至少一个或多个状态相对应的至少一个或多个编程验证电压。生成多个负编程验证电压包括：生成第一负验证电压；放电负电压生成器的输出，使其变得高于所述第一负验证电压；以及执行负电荷泵浦操作，直到负电压生成器的输出达到第二负验证电压电平。
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