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公开(公告)号：CN111667859A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010483944.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN102737719A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210111593.X
申请日：2012-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G11C16/10 , G11C16/30 , G11C16/3418 , G11C16/349 , G11C29/52
Abstract: 基于被分配给被选择存储空间的种子顺次产生随机序列数据，并且，将被选择存储空间的被请求访问的段之一与顺次产生的随机序列数据进行逻辑组合，以便传送被请求访问的段。顺次产生和逻辑组合被反复执行，直到剩余的被请求访问的段全部被传送为止。
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公开(公告)号：CN119274604A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410191954.9
申请日：2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了操作存储装置的方法和存储装置，存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括：通过存储控制器向非易失性存储器装置提供指示目标存储器块的字线选择操作的第一请求；通过非易失性存储器装置基于第一请求获得目标存储器块的多条字线的分布信息；通过非易失性存储器装置基于分布信息确定所述多条字线之中的劣化字线；以及通过非易失性存储器装置向存储控制器提供指示劣化字线的字线信息。
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公开(公告)号：CN118116439A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311462210.8
申请日：2023-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接到多条字线的多个存储器单元；地址解码器，其基于从包括第一温度传感器的外部装置接收的地址来控制多条字线当中的所选字线；第二温度传感器，其测量多个存储器单元当中的连接到所选字线的第一存储器单元的读温度；以及温度补偿电路，其基于读温度和由第一温度传感器测量出的第一存储器单元的编程温度来计算读电平偏移，并且基于读电平偏移来生成补偿读电压。地址解码器还被配置为将补偿读电压提供给所选字线。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107564562B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201710521176.5
申请日：2017-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储设备包括非易失性存储器设备和控制器。非易失性存储器设备包括多个存储块，多个存储块中的每个包括存储单元。控制器在读取操作期间从自存储块中所选择的存储块的选择的存储单元读取数据。该选择的存储单元对应于被选择作为读取目标的字线和串选择线两者。控制器将读取计数增加对应于选择的存储块的选择的字线和串选择线的读取权重，并且如果读取计数达到阈值，则对选择的存储单元执行刷新操作。在选择的存储块中，根据串选择线和字线的位置分配两个或更多个读取权重。
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公开(公告)号：CN111667860A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010484342.0
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN107797935A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710790427.X
申请日：2017-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0866 , G11C7/10 , G11C7/24
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0619 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06N20/00 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G06F12/0246 , G06F12/0866 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C7/24
Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。
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公开(公告)号：CN110827907B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201910733387.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。
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