公开(公告)号：CN109671462A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201810863665.3

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  康淑恩 ,  金志秀 ,  卢承京 ,  李东起 ,  李允宑 ,  李镇旭 ,  李熙元 ,  张俊锡 ,  崔永夏

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/10 ,  G06K9/6223 ,  G06K9/6226 ,  G11C5/063 ,  G11C8/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50004 ,  G11C16/26

Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。

公开(公告)号：CN116072193A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211132043.6

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  李柱元 ,  康淑恩 ,  李度暻 ,  郑永旭 ,  朱相炫

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/08

Abstract: 一种非易失性存储装置的操作方法，包括：对第一字线执行1级编程步骤和1级验证步骤，存储第一时间戳，对第二字线执行1级编程步骤和1级验证步骤，存储第二时间戳，基于第一时间戳和第二时间戳计算延迟时间，确定延迟时间是否大于或等于阈值，基于延迟时间将与第一字线相关联的至少一个2级验证电压从第一电压电平调整为第二电压电平，以及对第一字线执行2级编程步骤和2级验证步骤。至少一个1级验证电压的电平低于第二电压电平，并且第二电压电平低于第一电压电平。

公开(公告)号：CN109671462B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810863665.3

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  康淑恩 ,  金志秀 ,  卢承京 ,  李东起 ,  李允宑 ,  李镇旭 ,  李熙元 ,  张俊锡 ,  崔永夏

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。

公开(公告)号：CN113948126A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110590406.X

申请日：2021-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  康淑恩 ,  李度暻 ,  李柱元

IPC: G11C8/08 ,  G11C29/42 ,  G11C7/12

Abstract: 提供一种存储装置及其读取操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括非易失性存储器单元阵列和OTP存储器单元阵列，非易失性存储器单元阵列包括包含顺序堆叠的第一存储器单元和第二存储器单元的串，OTP存储器单元阵列存储参考计数值，第一存储器单元和第二存储器单元分别连接到第一字线和第二字线；控制器，包括生成第一存储器单元的读取命令的处理器；和读取电平生成器，包括：计数器，接收读取命令并计算连接到第二字线的存储器单元的截止单元计数值；比较器，从OTP存储器单元阵列接收第一参考计数值，将截止单元计数值与第一参考计数值进行比较以确定第二存储器单元的阈值电压移位，并基于阈值电压移位确定第一存储器单元的读取电平。

公开(公告)号：CN110827907B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN201910733387.4

申请日：2019-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允宑 ,  金灿河 ,  康淑恩 ,  卢承京 ,  李侊祐 ,  李柱元 ,  李镇旭 ,  李熙元

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/08

Abstract: 公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。

公开(公告)号：CN113223585A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011269506.4

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  黄相元 ,  康淑恩 ,  张韩尔 ,  郑永旭 ,  黄完夏

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了非易失性存储器件、存储设备及其编程方法。所述非易失性存储器件的编程方法包括：接收写入地址和写入数据；生成与所述写入地址相对应的种子；通过使用所述种子生成随机序列；通过使用所述随机序列对所述写入数据进行随机化；以及将随机化的写入数据编程到与所述写入地址相对应的存储区域。所述种子可以提供依据字线的位置变化的状态整形，接收到的所述写入数据将被编程在所述字线处。

公开(公告)号：CN110827907A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910733387.4

申请日：2019-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允宑 ,  金灿河 ,  康淑恩 ,  卢承京 ,  李侊祐 ,  李柱元 ,  李镇旭 ,  李熙元

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/08

Abstract: 公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。