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公开(公告)号：CN110690287A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910593346.X
申请日：2019-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括第一有源区域和第二有源区域；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区域和第二有源区域中；第一栅电极和第二栅电极，分别交叉第一有源图案和第二有源图案；第一栅极绝缘图案，插设在第一有源图案和第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘图案，插设在第二有源图案和第二栅电极之间。第一栅极绝缘图案包括第一电介质图案和设置在第一电介质图案上的第一铁电图案。第二栅极绝缘图案包括第二电介质图案。第一有源区域中的晶体管的阈值电压不同于第二有源区域中的晶体管的阈值电压。
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公开(公告)号：CN118800788A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410189777.0
申请日：2024-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/283 , H10B12/00
Abstract: 一种栅极结构可以包括：第一导电图案；第二导电图案，所述第二导电图案位于所述第一导电图案上并包括掺杂有杂质的多晶硅；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述第一导电图案的侧壁和所述第二导电图案的侧壁上。包括半导体材料或绝缘材料的覆盖层可以设置在所述第一导电图案下方。所述第一导电图案可以包括金属颗粒。至少一个所述金属颗粒可以从所述覆盖层的上表面延伸到所述第二导电图案的下表面，并且可以接触所述覆盖层的所述上表面和所述第二导电图案的所述下表面。
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公开(公告)号：CN111146279B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201911021012.1
申请日：2019-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括：多个半导体图案，所述多个半导体图案在衬底上顺序地堆叠并彼此间隔开；以及栅电极，所述栅电极位于所述多个半导体图案上。所述栅电极包括顺序地堆叠在所述多个半导体图案上的覆盖图案和功函数图案。所述覆盖图案包括第一金属氮化物层和第二金属氮化物层，所述第一金属氮化物层包括第一金属元素，所述第二金属氮化物层包括功函数大于所述第一金属元素的功函数的第二金属元素。所述第一金属氮化物层设置在所述第二金属氮化物层与所述多个半导体图案之间。所述第一金属氮化物层比所述第二金属氮化物层薄。
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公开(公告)号：CN110690287B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910593346.X
申请日：2019-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括第一有源区域和第二有源区域；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区域和第二有源区域中；第一栅电极和第二栅电极，分别交叉第一有源图案和第二有源图案；第一栅极绝缘图案，插设在第一有源图案和第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘图案，插设在第二有源图案和第二栅电极之间。第一栅极绝缘图案包括第一电介质图案和设置在第一电介质图案上的第一铁电图案。第二栅极绝缘图案包括第二电介质图案。第一有源区域中的晶体管的阈值电压不同于第二有源区域中的晶体管的阈值电压。
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公开(公告)号：CN112531014A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010971697.2
申请日：2020-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/092
Abstract: 半导体器件包括：第一和第二有源图案，分别在衬底的第一和第二有源区上；一对第一源极/漏极图案和在其间的第一沟道图案，其中所述一对第一源极/漏极图案在第一有源图案的上部中；一对第二源极/漏极图案和在其间的第二沟道图案，其中所述一对第二源极/漏极图案在第二有源图案的上部中；以及第一和第二栅电极，分别与第一和第二沟道图案交叉。第一和第二栅电极中的每个包括与第一和第二沟道图案中的对应一个相邻的第一金属图案。第一和第二沟道图案包括SiGe。第二沟道图案的Ge浓度高于第一沟道图案的Ge浓度。第二栅电极的第一金属图案的厚度大于第一栅电极的第一金属图案的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146279A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911021012.1
申请日：2019-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括：多个半导体图案，所述多个半导体图案在衬底上顺序地堆叠并彼此间隔开；以及栅电极，所述栅电极位于所述多个半导体图案上。所述栅电极包括顺序地堆叠在所述多个半导体图案上的覆盖图案和功函数图案。所述覆盖图案包括第一金属氮化物层和第二金属氮化物层，所述第一金属氮化物层包括第一金属元素，所述第二金属氮化物层包括功函数大于所述第一金属元素的功函数的第二金属元素。所述第一金属氮化物层设置在所述第二金属氮化物层与所述多个半导体图案之间。所述第一金属氮化物层比所述第二金属氮化物层薄。
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公开(公告)号：CN109494251B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201810670238.3
申请日：2018-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L27/088 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中的有源区域；至少一个纳米片，其在衬底上并与有源区域的顶表面间隔开；在纳米片上方或下方的栅极；栅极绝缘层，其在所述至少一个纳米片与栅极之间；以及源极/漏极区域，其在所述至少一个纳米片的两侧处在有源区域上。所述至少一个纳米片包括：沟道区域；栅极，其被设置在纳米片上方或下方并包括具有其表面和内部的不同组分的金属原子的单个金属层；在纳米片与栅极之间的栅极绝缘层；以及源极/漏极区域，其被设置在所述至少一个纳米片的两侧的有源区域中。
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公开(公告)号：CN109473479B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201811046123.3
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。
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