公开(公告)号：CN112531014A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010971697.2

申请日：2020-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟昊 ,  宋在烈 ,  金完敦 ,  李炳训 ,  M.哈桑

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

Abstract: 半导体器件包括：第一和第二有源图案，分别在衬底的第一和第二有源区上；一对第一源极/漏极图案和在其间的第一沟道图案，其中所述一对第一源极/漏极图案在第一有源图案的上部中；一对第二源极/漏极图案和在其间的第二沟道图案，其中所述一对第二源极/漏极图案在第二有源图案的上部中；以及第一和第二栅电极，分别与第一和第二沟道图案交叉。第一和第二栅电极中的每个包括与第一和第二沟道图案中的对应一个相邻的第一金属图案。第一和第二沟道图案包括SiGe。第二沟道图案的Ge浓度高于第一沟道图案的Ge浓度。第二栅电极的第一金属图案的厚度大于第一栅电极的第一金属图案的厚度。