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发明公开
栅极结构和包括其的半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN118800788A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410189777.0

申请日：2024-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成男 , 卢孝贞 , 梁民友 , 李炳训 , 丁乙芝

IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/283 , H10B12/00

Abstract: 一种栅极结构可以包括：第一导电图案；第二导电图案，所述第二导电图案位于所述第一导电图案上并包括掺杂有杂质的多晶硅；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述第一导电图案的侧壁和所述第二导电图案的侧壁上。包括半导体材料或绝缘材料的覆盖层可以设置在所述第一导电图案下方。所述第一导电图案可以包括金属颗粒。至少一个所述金属颗粒可以从所述覆盖层的上表面延伸到所述第二导电图案的下表面，并且可以接触所述覆盖层的所述上表面和所述第二导电图案的所述下表面。

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