公开(公告)号：CN117913075A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311341903.1

申请日：2023-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志授 ,  姜秉柱 ,  李正韩 ,  林载炯

IPC: H01L23/544 ,  H01L27/088 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中，穿过包括彼此相反的第一和第二表面的衬底的一部分形成对准标记，所述部分与衬底的第二表面相邻。在衬底的第二表面上形成包括栅极结构和源极/漏极层的晶体管。去除衬底的与衬底的第一表面相邻的部分以暴露对准标记。接触插塞穿过衬底的与衬底的第一表面相邻的部分形成，以电连接到源极/漏极层。电源轨形成在衬底的第一表面上以电连接到接触插塞。

公开(公告)号：CN117855248A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311216465.6

申请日：2023-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志授 ,  姜明一 ,  权智旭 ,  李正韩 ,  崔秀斌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上的第一片图案；栅电极，在衬底上并且围绕第一片图案；第一源/漏图案和第二源/漏图案，分别连接到第一片图案的第一端和第二端；接触阻挡图案，在第二源/漏图案的下侧上；第一源/漏接触部，沿第一方向延伸并且连接到第一源/漏图案；以及第二源/漏接触部，连接到第二源/漏图案并且沿第一方向延伸以接触接触阻挡图案的上表面。从栅电极的上表面到第一源/漏接触部的最下部分的深度可以大于从栅电极的上表面到接触阻挡图案的上表面的深度。

公开(公告)号：CN110021668A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811619564.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  朴成哲 ,  李允逸 ,  金并基 ,  全英敏 ,  河大元 ,  黄寅灿 ,  朴宰贤 ,  申宇哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：多个栅电极，在衬底上交叉有源图案并沿第二方向延伸，所述多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，具有在第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在第二方向上彼此相邻；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，栅极间隔物交叉栅极分隔图案并沿第二方向延伸。栅极分隔图案包括沿第一方向延伸的下部、从下部突出并具有第一宽度的中间部分、以及在两个相邻的栅极间隔物之间并从中间部分突出的上部，上部具有小于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN106057867A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610230485.2

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  李在焕 ,  金相秀 ,  崔桓昱 ,  李泰宗 ,  河承模

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括在基板上的由隔离层限定的多个有源鳍、在有源鳍和隔离层上的栅结构、以及覆盖栅结构的侧壁的栅间隔物结构。栅结构的侧壁包括分别具有第一坡度、第二坡度和第三坡度的第一区域、第二区域和第三区域。第二坡度从第二区域的底部朝向顶部增大。第二坡度在第二区域的底部具有小于第一坡度的值。第三坡度大于第二坡度。