公开(公告)号：CN117594564A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311002838.X

申请日：2023-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  李东翼

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：具有鳍型有源图案的衬底；在鳍型有源图案上的源极/漏极区；在隔离绝缘层上和在源极/漏极区上的层间绝缘层；电连接到源极/漏极区的接触结构；电连接到接触结构并掩埋在层间绝缘层中的掩埋导电结构；以及穿透衬底并与掩埋导电结构的底表面接触的电力传送结构。掩埋导电结构包括第一接触插塞以及在第一接触插塞的侧表面上并与第一接触插塞的底表面间隔开的第一导电阻挡物。电力传送结构包括与第一接触插塞的底表面直接接触的第二接触插塞。

公开(公告)号：CN109755217B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201811080856.9

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  李敬雨 ,  金仁焕 ,  李种賱

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L21/50

Abstract: 一种中介层包括：具有安装区域和测试区域的基板；彼此隔开的第一导电插塞，第一导电插塞沿着第一方向设置并设置到基板的测试区域中；第一线路图案组，包括设置在第一导电插塞的第一中心上的第一非导电图案和设置为桥接第一相邻对的第一导电插塞的第一外围的第一导电图案；以及第一焊盘，在第一线图案组的两个第一端处连接到第一导电图案。

公开(公告)号：CN115206881A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210058248.8

申请日：2022-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  崔珉权

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置制造方法，所述方法包括以下步骤：在基底上形成层间介电层和下掩模层；在下掩模层上形成在第一方向上彼此间隔开的第一上掩模图案和第二上掩模图案，其中，第一上掩模图案和第二上掩模图案中的每个具有在第二方向上延伸的线部和从线部突出的第一突出部；形成覆盖第一上掩模图案的线部的侧壁和第二上掩模图案的线部的侧壁的间隔件以及填充第一上掩模图案的第一突出部和第二上掩模图案的第一突出部之间的空间的填充图案；蚀刻下掩模层以形成下掩模图案；蚀刻层间介电层以在层间介电层上形成槽；以及在槽中形成布线。

公开(公告)号：CN106169439B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610329900.X

申请日：2016-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金田中 ,  金永培 ,  金钟三 ,  朴镇亨 ,  安正勋 ,  吴赫祥 ,  李敬雨 ,  李孝善 ,  张淑禧

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括：基板；下绝缘层，在基板上；下布线，在下绝缘层中；第一蚀刻停止层，覆盖下布线并包括含金属的电介质材料；以及第二蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层和下绝缘层上；绝缘夹层，在第二蚀刻停止层上；以及导电图案，延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。

公开(公告)号：CN105428308A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510522886.0

申请日：2015-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李禹镇 ,  金钟三 ,  刘禹炅 ,  李荣祥 ,  许珉

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在包括下图案的基板上顺序地形成层间绝缘层和包括第一开口的硬掩模图案；利用硬掩模图案在层间绝缘层中形成暴露下图案的沟槽；形成衬垫层，该衬垫层包括沿着沟槽的侧壁和底表面形成的第一部分以及沿着硬掩模图案的顶表面形成的第二部分；在沟槽中形成暴露衬垫层的第二部分的牺牲图案；利用牺牲图案去除衬垫层的第二部分和硬掩模图案；以及在去除硬掩模图案之后，去除牺牲图案以暴露衬垫层的第一部分。

公开(公告)号：CN1812074A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129423.4

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  慎烘縡 ,  金在鹤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明公开了一种双金属镶嵌互连结构的方法和半导体器件的方法。在形成双金属镶嵌互连结构的方法中，使用了一种含生孔剂(气孔形成剂)的牺牲材料来填充层间介电层中的通孔，从而可以将牺牲材料转变为可以容易地从通孔去除而不损伤或去除层间介电层的多孔牺牲材料。

公开(公告)号：CN119028940A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410627088.3

申请日：2024-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  都桢湖 ,  李敬雨 ,  金菊喜 ,  郭玟灿

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：第一电力线，在衬底上沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；背面电力结构，在衬底的下表面上；标准单元，各自包括有源图案、与有源图案相交的栅图案、以及接触部；电力抽头单元，在至少一些标准单元之间，并且各自包括竖直电力过孔；以及第二电力线，将至少一些第一电力线彼此电连接。第二电力线的第一部分可以延伸到电力抽头单元上，并且第二电力线的与第一部分不同的第二部分可以延伸到标准单元上。电力抽头单元可以以锯齿形图案在第二方向上以标准单元的每三行或更多行布置。

公开(公告)号：CN118629993A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410234876.6

申请日：2024-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  罗相喆 ,  李敬雨

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/367

Abstract: 一种半导体装置，包括：有源图案，其在衬底的第一表面上并在第一方向上延伸；场绝缘膜，其在第一表面和有源图案的侧表面上；栅极结构，其在有源图案和场绝缘膜上并在与第一方向相交的第二方向上延伸；源极/漏极区，其在栅极结构的侧表面上并接触有源图案；以及贯通接触件，其在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸并延伸通过场绝缘膜。该装置还包括在衬底中的接触贯通接触件的埋置图案、在衬底的第二表面上并电连接到埋置图案的背面布线结构、以及在衬底中的与埋置图案相邻的散热结构。散热结构填充从第二表面延伸至衬底中的沟槽。

公开(公告)号：CN118538734A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311832178.8

申请日：2023-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣佑 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  罗相喆 ,  李东翼

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；第一鳍型图案，在第一方向上从衬底的第一表面突出，并且在第二方向上延伸；第一源/漏图案，在第一鳍型图案上；第一源/漏接触部，在第一源/漏图案上；接触连接过孔，在第一方向上延伸，并且电连接到第一源/漏接触部；掩埋导电图案，在衬底中，电连接到接触连接过孔，并且具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，掩埋导电图案的第一表面面对第一源/漏接触部；以及第一掩埋绝缘衬层，沿掩埋导电图案的侧壁和沿掩埋导电图案的第一表面延伸。

公开(公告)号：CN118198002A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311521763.6

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李东翼 ,  金庆旼 ,  金菊喜 ,  金汎镇 ,  金荣佑 ,  罗相喆 ,  蔡命均 ,  河承锡

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有第一表面和面对第一表面的第二表面，并且在平面图中包括主芯片区域和围绕主芯片区域的密封区域；前布线层，其在半导体衬底的第一表面上，并且包括前布线结构；后布线层，其在半导体衬底的第二表面上，并且包括电力布线结构；前环结构，其在密封区域的前布线层中；以及后环结构，其在密封区域的后布线层中。