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发明公开
半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN118198002A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311521763.6

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 , 李东翼 , 金庆旼 , 金菊喜 , 金汎镇 , 金荣佑 , 罗相喆 , 蔡命均 , 河承锡

IPC: H01L23/00 , H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有第一表面和面对第一表面的第二表面，并且在平面图中包括主芯片区域和围绕主芯片区域的密封区域；前布线层，其在半导体衬底的第一表面上，并且包括前布线结构；后布线层，其在半导体衬底的第二表面上，并且包括电力布线结构；前环结构，其在密封区域的前布线层中；以及后环结构，其在密封区域的后布线层中。

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