公开(公告)号：CN109755217A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811080856.9

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  李敬雨 ,  金仁焕 ,  李种賱

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L21/50

Abstract: 一种中介层包括：具有安装区域和测试区域的基板；彼此隔开的第一导电插塞，第一导电插塞沿着第一方向设置并设置到基板的测试区域中；第一线路图案组，包括设置在第一导电插塞的第一中心上的第一非导电图案和设置为桥接第一相邻对的第一导电插塞的第一外围的第一导电图案；以及第一焊盘，在第一线图案组的两个第一端处连接到第一导电图案。

公开(公告)号：CN110648976B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201910530743.2

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴小螺 ,  安正勋

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：衬底，具有第一表面和面对第一表面的第二表面，衬底具有通路孔，通路孔从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；在通路孔中的穿通通路；在衬底的第一表面上的半导体部件；以及内部缓冲结构，与通路孔间隔开并在通路孔与半导体部件之间，内部缓冲结构从衬底的第一表面朝向衬底的内部延伸，内部缓冲结构的顶端在比穿通通路的顶端高的水平处。

公开(公告)号：CN110875275B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN201910491844.3

申请日：2019-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  安正勋

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。更具体地，提供了包括通过简化工艺来改善静电容量的电容器的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：限定第一沟槽的绝缘结构，所述绝缘结构位于衬底上；位于所述绝缘结构中的第一导电层，所述第一导电层的上表面的第一部分由所述第一沟槽暴露；电容器结构，所述电容器结构包括位于所述第一导电层上的第一电极图案、位于所述第一电极图案上的介电图案和位于所述介电图案上的第二电极图案，所述第一电极图案沿着所述第一沟槽的侧壁和底表面以及所述绝缘结构的上表面延伸；以及位于所述电容器结构上的第一布线图案。

公开(公告)号：CN109755217B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201811080856.9

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  李敬雨 ,  金仁焕 ,  李种賱

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L21/50

Abstract: 一种中介层包括：具有安装区域和测试区域的基板；彼此隔开的第一导电插塞，第一导电插塞沿着第一方向设置并设置到基板的测试区域中；第一线路图案组，包括设置在第一导电插塞的第一中心上的第一非导电图案和设置为桥接第一相邻对的第一导电插塞的第一外围的第一导电图案；以及第一焊盘，在第一线图案组的两个第一端处连接到第一导电图案。

公开(公告)号：CN114975358A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202111587859.3

申请日：2021-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  安正勋 ,  崔允基

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括逻辑单元区和连接区；在连接区上的虚设晶体管；在虚设晶体管上的中间连接层，中间连接层包括电连接到虚设晶体管的连接图案；在中间连接层上的第一金属层；在中间连接层和一部分第一金属层之间的蚀刻停止层，蚀刻停止层覆盖连接图案的顶表面；以及穿透接触，从第一金属层朝衬底的底表面延伸并穿透连接区。

公开(公告)号：CN111883510A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010294116.6

申请日：2020-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴桭胡 ,  丁少锋 ,  方镛胜 ,  安正勋

IPC: H01L23/525 ,  H01L49/02

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板；第一电极，包括第一孔；第一电介质层，在第一电极的上表面上和在第一孔的内表面上；第二电极，在第一电介质层上；第二电介质层，在第二电极上；第三电极，在第二电介质层上并包括第二孔；以及第一接触插塞，延伸穿过第二电极和第二电介质层并延伸穿过第一孔和第二孔。第一接触插塞的侧壁脱离与第一孔的侧壁和第二孔的侧壁的直接接触，并具有与第二电极的上表面相邻定位的台阶部分。

公开(公告)号：CN118116890A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311569505.5

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善佑 ,  丁少锋 ,  安正勋 ,  吴在熙

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体衬底；集成电路层，其设置在半导体衬底上；按次序地设置在半导体衬底和集成电路层上的第一金属布线层至第n金属布线层，其中，n是正整数；将第一金属布线层至第n金属布线层彼此连接的多个布线过孔件；以及贯穿件，其在竖直方向上从作为第一金属布线层至第n金属布线层中的任一个的过孔连接焊盘朝向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，其中，过孔连接焊盘是形成在贯穿件的上表面上的盖型过孔连接焊盘。

公开(公告)号：CN111128954B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201911035178.9

申请日：2019-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴桭胡 ,  方镛胜 ,  安正勋

IPC: H01L23/522 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的第二电极；在第一电极和第二电极之间的第一电介质层；在第二电极上的第三电极；在第二电极和第三电极之间的第二电介质层；以及穿透第三电极并接触第一电极的第一接触插塞，第一接触插塞接触第三电极的顶表面和第三电极的侧表面。

公开(公告)号：CN116137264A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211432855.2

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄帝官 ,  金知炯 ,  安正勋 ,  吴在熙 ,  丁少锋 ,  朴媛智 ,  张宇珹 ,  洪踢俊

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: 一种三维集成电路结构包括：第一管芯，包括第一电力输送网络、第一基板、第一器件层和第一金属层；在第一管芯上的第二管芯，第二管芯包括第二电力输送网络、第二基板、第二器件层和第二金属层；第一贯通电极，从第一电力输送网络延伸到第一金属层的顶表面；在第一贯通电极上的第一凸块；以及焊盘，第二电力输送网络包括向第二器件层传输电力的下部线，焊盘连接到下部线中的最下面的一条，第一凸块插设在第一贯通电极和焊盘之间并且连接第一贯通电极和焊盘，第一电力输送网络通过第一凸块和第一贯通电极电连接到第二电力输送网络。

公开(公告)号：CN113224056A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011271904.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  姜旻局 ,  金知炯 ,  安正勋 ,  刘海利 ,  崔允基

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和连接区域；虚设晶体管，所述虚设晶体管位于所述连接区域上；中间连接层，所述中间连接层位于所述虚设晶体管上；第一金属层，所述第一金属层位于所述中间连接层上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述中间连接层与所述第一金属层之间；贯穿接触，所述贯穿接触位于所述第一金属层下方，所述贯穿接触穿透所述连接区域，所述贯穿接触的上部突出超过所述蚀刻停止层；以及保护绝缘图案，所述保护绝缘图案位于所述蚀刻停止层上，所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的所述上部。所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的上侧表面和所述贯穿接触的顶表面。