公开(公告)号：CN1835206A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610007141.1

申请日：2006-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在鹤 ,  李宣姃 ,  李承珍

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685

Abstract: 本发明的示例性实施例总体上包括利用双镶嵌方法形成多层金属互连结构的方法，该双镶嵌方法包含了通路覆盖工艺从而保护下部互连线免受由于下部互连线无意中暴露于蚀刻气氛所造成的例如蚀刻损坏或氧化的影响。

公开(公告)号：CN1649126A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510005832.3

申请日：2005-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  慎烘縡 ,  金在鹤 ,  魏荣振 ,  李承珍 ,  朴起宽

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829

Abstract: 本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔；在该通孔之内形成导电层图案。

公开(公告)号：CN112584069A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011026211.4

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵橓翼 ,  黄敏智 ,  李承珍

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H04N5/357

Abstract: 公开了一种图像传感器以及该图像传感器的操作方法。该图像传感器包括像素阵列和行驱动器。像素阵列包括第一像素和第二像素。第一像素和第二像素中的每一个包括至少一个感光元件以及被配置为将由所述至少一个感光元件生成的电荷传输至浮置扩散节点的开关元件。第一像素和第二像素连接到同一列线。行驱动器被配置为将箝位控制信号提供给第一像素中的开关元件。在第二像素的读取周期期间，箝位控制信号从第一电平转变为小于第一电平的第二电平。