公开(公告)号：CN104037125B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201410076999.8

申请日：2014-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  金大益 ,  金冈昱 ,  金那罗 ,  朴济民 ,  李圭现 ,  郑铉雨 ,  秦教英 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544 ,  H01L27/146 ,  H01L23/48 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成穿过半导体基板的一部分并从第一表面朝向第二表面延伸的对准标记和连接接触；在半导体基板的第一表面上形成第一电路使得第一电路电连接到连接接触；使半导体基板的第二表面凹陷以形成暴露对准标记和连接接触的第三表面；以及在半导体基板的第三表面上形成第二电路使得第二电路电连接到连接接触。

公开(公告)号：CN100407425C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200310123006.X

申请日：2003-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李朱镛 ,  李圭现

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10885 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文中公开了半导体器件及其制造方法，随着尺寸设计限度的降低增加了这些器件的可靠性。通常，在衬底上形成第一绝缘膜和包括第一导电膜图形与第二绝缘膜图形的布线。在布线侧壁上形成包括氧化硅基材料的第三绝缘膜图形，且在布线上形成用于限定接触孔区域的接触图形和其侧壁上的隔片。接触孔接触第三绝缘膜的表面且其穿过第一绝缘膜。这样，可以最小化用于布线的第二绝缘膜图形的厚度，由此增加布线之间的间隙填充余量。可以减小布线之间的寄生电容，因为在布线侧壁上形成具有低介电常数的氧化硅隔片。

公开(公告)号：CN1177353C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01110990.4

申请日：2001-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹亨洙 ,  李圭现 ,  郑泰荣 ,  金奇南 ,  黄有商

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供一种具有低电阻同时能够形成自对准接触焊盘的金属镶嵌栅电极。具有间隔层和间隔层限定的沟槽的绝缘体提供在半导体衬底上。杂质注入到由沟槽露出的半导体衬底内，形成沟道区。沟槽由导电材料部分地填充形成凹陷的栅电极。沟槽的其余部分由相对于绝缘层有腐蚀选择性的绝缘体填充，形成覆盖栅电极和间隔层的帽盖层。因此，帽盖层作为随后自对准接触工艺中的腐蚀中止层。

公开(公告)号：CN1518112A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310123006.X

申请日：2003-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李朱镛 ,  李圭现

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10885 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文中公开了半导体器件及其制造方法，随着尺寸设计限度的降低增加了这些器件的可靠性。通常，在衬底上形成第一绝缘膜和包括第一导电膜图形与第二绝缘膜图形的布线。在布线侧壁上形成包括氧化硅基材料的第三绝缘膜图形，且在布线上形成用于限定接触孔区域的接触图形和其侧壁上的隔片。接触孔接触第三绝缘膜的表面且其穿过第一绝缘膜。这样，可以最小化用于布线的第二绝缘膜图形的厚度，由此增加布线之间的间隙填充余量。可以减小布线之间的寄生电容，因为在布线侧壁上形成具有低介电常数的氧化硅隔片。

公开(公告)号：CN1319881A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01110990.4

申请日：2001-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹亨洙 ,  李圭现 ,  郑泰荣 ,  金奇南 ,  黄有商

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供一种具有低电阻同时能够形成自对准接触焊盘的金属镶嵌栅电极。具有间隔层和间隔层限定的沟槽的绝缘体提供在半导体衬底上。杂质注入到由沟槽露出的半导体衬底内,形成沟道区。沟槽由导电材料部分地填充形成凹陷的栅电极。沟槽的其余部分由相对于绝缘层有腐蚀选择性的绝缘体填充,形成覆盖栅电极和间隔层的帽盖层。因此,帽盖层作为随后自对准接触工艺中的腐蚀中止层。