公开(公告)号：CN109494220A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201810639708.X

申请日：2018-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  刘庭均 ,  李东勳 ,  李允逸

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/775 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00

Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；垂直沟道结构，包括在第一方向上延伸的一对有源鳍及夹置在所述一对有源鳍之间的绝缘部分，所述第一方向垂直于所述衬底的上表面；上源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构上；下源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构下方及所述衬底上；栅极电极，设置在所述上源极/漏极与所述下源极/漏极之间且环绕所述垂直沟道结构；以及栅极介电层，设置在所述栅极电极与所述垂直沟道结构之间。所述栅极电极与所述上源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔可小于所述栅极电极与所述下源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔。本公开的半导体器件具有适于按比例缩放的结构。

公开(公告)号：CN110858563A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910782648.1

申请日：2019-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋炫升 ,  李斗铉 ,  李允逸 ,  张在兰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源鳍；栅结构，在第二方向上延伸以与有源鳍相交；有源鳍上的源/漏区；源/漏区上的金属硅化物层；金属硅化物层上的填充绝缘部分，填充绝缘部分具有与金属硅化物层的一部分相连接的接触孔；金属硅化物层与填充绝缘部分之间的保护阻挡层；以及接触孔中的接触插塞，电连接到金属硅化物层的所述部分。

公开(公告)号：CN110350027A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910003735.2

申请日：2019-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允逸 ,  朴星一 ,  朴宰贤 ,  李炯锡

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，从基底突出并且彼此间隔开以在第一方向上延伸；虚设鳍型图案，从基底突出，并位于第一鳍型图案与第二鳍型图案之间；第一栅极结构，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，位于第一鳍型图案上；第二栅极结构，在第二方向上延伸，位于第二鳍型图案上；以及盖图案，在第二方向上延伸，位于第一栅极结构和第二栅极结构上，其中，盖图案包括与虚设鳍型图案的上表面接触的分离部分，并且虚设鳍型图案和分离部分使第一栅极结构与第二栅极结构分离。

公开(公告)号：CN110021668A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811619564.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  朴成哲 ,  李允逸 ,  金并基 ,  全英敏 ,  河大元 ,  黄寅灿 ,  朴宰贤 ,  申宇哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：多个栅电极，在衬底上交叉有源图案并沿第二方向延伸，所述多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，具有在第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在第二方向上彼此相邻；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，栅极间隔物交叉栅极分隔图案并沿第二方向延伸。栅极分隔图案包括沿第一方向延伸的下部、从下部突出并具有第一宽度的中间部分、以及在两个相邻的栅极间隔物之间并从中间部分突出的上部，上部具有小于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN108538836A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810158997.1

申请日：2018-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  朴范琎 ,  李允逸 ,  刘庭均 ,  李东勋

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 一种垂直晶体管结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括连接到第二晶体管的第二上电极的第一下电极以及连接到第二晶体管的第二下电极的第一上电极。第一晶体管还包括连接到第二晶体管的栅电极的栅电极。

公开(公告)号：CN108074921A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710637227.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米克罗·坎托罗 ,  李允逸 ,  李炯锡 ,  许然喆 ,  金竝基 ,  吕昌旼 ,  尹承燦 ,  李东勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。