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公开(公告)号：CN1125467C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN98108380.3
申请日：1998-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483
Abstract: 一种闪速存储器，包括：存储单元阵列，其具有源极、漏极、浮栅和控制栅，该阵列包括形成在存储单元上的导电板，以在存储单元和导电板之间进行电容耦合；第一电压源，用于提供第一电压；块译码器，用于响应控制信号，将第一电压源的第一电压提供给被选择的其中一个存储单元的控制栅；第二电压源，用于提供第二电压；和分段译码器，用于响应控制信号，在所述被选择的其中一个存储单元的控制栅已被充电到预定电压电平后，将第二电压源的第二电压提供给所述被选择的其中一个存储单元的导电板。
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公开(公告)号：CN1199909A
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：CN98108380.3
申请日：1998-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483
Abstract: 一种闪速存储器,包括:存储单元阵列,其具有源极、漏极、浮栅和控制栅,该阵列包括形成在存储单元上的导电板,以在存储单元和导电板之间进行电容耦合;第一电压源,用于将第一电压提供给被选择的其中一个存储单元的控制栅;和第二电压源,用于在被选择的其中一个存储单元的控制栅被充电到预定电压后将第二电压提供给导电板;开关电路,以响应于控制信号而将第一和第二电压分别转移到被选择的其中一个存储单元的控制栅和导电板。
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公开(公告)号：CN107957851B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201710892707.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种存储器系统包括多个存储装置，所述存储装置分别包括非易失性存储器装置。客户机装置被配置成收集从所述存储装置提供的所述非易失性存储器装置的劣化信息。服务器装置被配置成接收所收集劣化信息并通过基于所收集劣化信息以及初始劣化信息执行机器学习来实时地预测所述非易失性存储器装置的劣化程度。所述客户机装置基于来自所述服务器装置的所述非易失性存储器装置的劣化程度来确定所述非易失性存储器装置的读取电平。所述存储装置将所述非易失性存储器装置设定成基于在所述客户机装置中确定的所述读取电平来运行。
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公开(公告)号：CN114003167A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110613414.1
申请日：2021-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了一种用于存储数据的系统和用于操作存储系统的方法。在一些实施例中，所述系统包括第一存储装置和第二存储装置，并且所述方法包括：确定第一存储装置处于只读状态并且第二存储装置处于读写状态；对存储系统执行第一条带的写入操作；从存储系统执行第二条带的第一读取操作；以及从存储系统执行第一条带的第二读取操作，其中，执行写入操作的步骤包括：将第一条带的一部分写入第二存储装置，以及在映射表中为第一条带制作条目。
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公开(公告)号：CN113934368A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110790713.2
申请日：2021-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种存储设备和一种用于操作存储设备的方法。在一些实施例中，存储设备包括存储介质，并且该方法包括：由存储设备确定该存储设备处于故障状态，从该故障状态、通过在第一只读模式下操作存储设备部分恢复是可能的；以及在第一只读模式下操作存储设备，在第一只读模式下操作包括：确定在该存储设备的页中所存储的第一数据项的时长已经超过阈值时长，并且将第一数据项复制到存储设备的救援空间中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109521951A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811085087.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0653 , G06F3/0619 , G06F3/0679 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/028 , G06F3/0604 , G06F3/0638
Abstract: 一种特征数据预处理系统包括：数据获取设备，其收集包括根据第一默认读取电平定义的第一单元分布数据和根据第二默认读取电平定义的第二单元分布数据的特征数据；数据预处理装置，据根据剪裁范围合并第一单元分布数据和第二单元分布数来生成训练数据，其中剪裁范围是根据第一默认电平和第二默认电平来定义的；以及数据库，其存储从数据预处理装置通信的训练数据。
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公开(公告)号：CN109473138A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811045287.4
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置及其刷新方法。存储装置包括配置为通过从主机接收第一电力而操作的至少一个第一处理核心，与第一处理核心分开的第二处理核心，至少一个第一三维(3D)闪存存储器，电力模块和当不从主机供应第一电力时从电力模块被提供有第二电力的保持管理模块。保持管理模块配置为使用第二处理核心刷新第一3D闪存存储器的一部分。保持管理模块配置为以第一时段的间隔被唤醒来刷新第一3D闪存存储器的一部分。
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公开(公告)号：CN107957851A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710892707.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G11C16/349 , G06N99/005 , G11C7/14 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/04 , G11C29/42 , G11C29/52 , G06F3/0614 , G06F3/0653
Abstract: 一种存储器系统包括多个存储装置，所述存储装置分别包括非易失性存储器装置。客户机装置被配置成收集从所述存储装置提供的所述非易失性存储器装置的劣化信息。服务器装置被配置成接收所收集劣化信息并通过基于所收集劣化信息以及初始劣化信息执行机器学习来实时地预测所述非易失性存储器装置的劣化程度。所述客户机装置基于来自所述服务器装置的所述非易失性存储器装置的劣化程度来确定所述非易失性存储器装置的读取电平。所述存储装置将所述非易失性存储器装置设定成基于在所述客户机装置中确定的所述读取电平来运行。
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公开(公告)号：CN101727983B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN200910208176.5
申请日：2009-10-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C17/146 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明提供了一种闪存系统及其驱动方法。根据本发明实施例的闪存设备包括存储单元阵列及控制逻辑，该阵列包括多个存储单元。控制逻辑对要在多个存储单元中存储的一比特信息执行控制。控制逻辑控制在多个存储单元中存储数据多次，而没有擦除操作。因此，闪存设备不执行擦除操作，提高了操作速度。
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公开(公告)号：CN118159037A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311156846.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L27/088
Abstract: 公开了一种存储器件，其包括：基础管芯，其包括一对第二管芯和位于所述一对第二管芯之间的第一管芯；以及存储堆叠，其包括在垂直方向上顺序堆叠在基础管芯上的存储管芯。第一管芯电连接到存储堆叠，并且第一管芯包括逻辑晶体管，该逻辑晶体管包括三维结构的沟道。
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