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公开(公告)号：CN103164285B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201210537202.0
申请日：2012-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/50
CPC classification number: G06F15/7867 , G06F9/3001 , G06F9/3867
Abstract: 一种可重构处理器和可重构处理器的微核，所述可重构处理器包括多个微核和所述微核所连接的外部网络。每一个微核包括：第一功能单元、第二功能单元和内部网络，其中，第一功能单元包括第一组运算元件，第二功能单元包括与第一组运算元件不同的第二组运算元件，并且，第一功能单元与第二功能单元被连接到内部网络。
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公开(公告)号：CN101241860A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710170055.7
申请日：2007-11-09
IPC: H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L21/31604 , H01L29/66575
Abstract: 一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，通过以下步骤形成晶体管：在衬底上方将栅结构图案化；在栅结构的侧面上形成间隔件；在栅叠层的交替的侧面，在衬底内形成导体区域。栅结构和导体区域形成晶体管。为了减少大功率等离子引入的损伤，本方法最初对晶体管施加第一功率水平的等离子以在晶体管上方形成第一应力层。在施加第一低功率等离子之后，本方法对晶体管施加具有第二功率水平的第二等离子以在第一应力层上方形成第二应力层。第二功率水平比第一功率水平高(例如，至少高5倍)。
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公开(公告)号：CN1734727A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091335.X
申请日：2005-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , C23C16/44 , C23C16/40
Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112204585B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201980035810.1
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/067 , G06N3/0464
Abstract: 公开了使用卷积计算单元和电子装置的本地存储器来执行人工智能算法的电子装置。处理器的控制器配置为：基于从缓冲器输入的、与对应于第一内核数据行数的行一样多的数据存储在所述存储器中，将所存储的输入数据提供至所述卷积计算单元；基于第一计算数据由所述卷积计算单元输出，在所述存储器中存储所接收的第一计算数据；基于与对应于第二内核数据的行数一样多的第一计算数据存储在所述存储器中，将所存储的第一计算数据提供至所述卷积计算单元；以及在将所述第一计算数据提供至所述卷积计算单元之后，将从所述缓冲器输入的数据存储在所述存储器中存储的所述第一计算数据中存储最先存储的数据的位置处。
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公开(公告)号：CN112204585A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980035810.1
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了使用卷积计算单元和电子装置的本地存储器来执行人工智能算法的电子装置。处理器的控制器配置为：基于从缓冲器输入的、与对应于第一内核数据行数的行一样多的数据存储在所述存储器中，将所存储的输入数据提供至所述卷积计算单元；基于第一计算数据由所述卷积计算单元输出，在所述存储器中存储所接收的第一计算数据；基于与对应于第二内核数据的行数一样多的第一计算数据存储在所述存储器中，将所存储的第一计算数据提供至所述卷积计算单元；以及在将所述第一计算数据提供至所述卷积计算单元之后，将从所述缓冲器输入的数据存储在所述存储器中存储的所述第一计算数据中存储最先存储的数据的位置处。
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公开(公告)号：CN112106080A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980026052.7
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于执行人工智能算法的电子设备。所述电子设备包括存储器和处理器，存储器存储输入数据和从第一内核数据获得的多个第二内核数据，处理器获得放大数据，在放大数据中，输入数据的至少一部分根据第一内核数据被放大。通过对所述多个第二内核数据中的每个第二内核数据与输入数据执行卷积运算来放大数据。所述多个第二内核数据中的每个第二内核数据包括第一内核数据中的多个第一内核元素中的不同第一内核元素。
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公开(公告)号：CN105980980A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480074517.3
申请日：2014-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F9/30145 , G06F9/3016 , G06F9/3822 , G06F9/3853
Abstract: 在一种运行指令的方法中，基于多个指令中的每一个中所包括的信息来获取在预定周期中运行的至少一个指令，并且获取所述至少一个指令中所包括的代码。基于分析结果将指令分配给至少一个槽位，并且选择性地使用运行所述指令所必要的槽位。因此，可以减少使用所述方法的设备的功耗。
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公开(公告)号：CN100479113C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510091335.X
申请日：2005-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , C23C16/44 , C23C16/40
Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。
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