公开(公告)号：CN101241860A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710170055.7

申请日：2007-11-09

Applicant: 国际商业机器公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 德利普·R.·纳尔 ,  陈向东 ,  金田中 ,  梁大源 ,  克里斯托弗·V.·拜奥考 ,  朴哉彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/66575

Abstract: 一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，通过以下步骤形成晶体管：在衬底上方将栅结构图案化；在栅结构的侧面上形成间隔件；在栅叠层的交替的侧面，在衬底内形成导体区域。栅结构和导体区域形成晶体管。为了减少大功率等离子引入的损伤，本方法最初对晶体管施加第一功率水平的等离子以在晶体管上方形成第一应力层。在施加第一低功率等离子之后，本方法对晶体管施加具有第二功率水平的第二等离子以在第一应力层上方形成第二应力层。第二功率水平比第一功率水平高(例如，至少高5倍)。