公开(公告)号：CN101452832A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810098840.0

申请日：2008-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  梁铉德 ,  田重锡 ,  李化成 ,  李来寅 ,  陈薇薇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/43 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

Abstract: 示例实施例涉及一种形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法。根据示例实施例的形成Ge硅化物层的方法可以包括：在硅锗(SiGe)层上形成包含钒的金属层。金属层可以具有多层结构，并还可以包含铂(Pt)和镍(Ni)中的至少一种。可以将金属层进行退火以形成锗硅化物层。可以使用激光瞬间退火(LSA)方法来执行退火。

公开(公告)号：CN1794098A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510092406.8

申请日：2005-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  悉多尔金·瓦迪姆 ,  崔昌勋

IPC: G03F7/207 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31793

Abstract: 提供一种用于在电子束光刻系统的真空室中将电子束的预定图案从发射器投影到晶片的方法。首先设置用于进行电磁聚焦的初始条件，并校正由从发射器发射的电子之间的初始发射速度差异和初始发射角度差异而导致的电子束的扩张现象。然后，校正当电场不平行于磁场时导致的电子束的偏移，并校正由磁场梯度导致的电子束的偏移，其后校正由从发射器发射的电子之间的库仑相互作用导致的电子束的束直径的增大。然后，确定聚焦误差是否在容许误差的范围内。当确定聚焦误差在容许误差的范围之外时，重复上述操作。

公开(公告)号：CN1794092A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510126974.5

申请日：2005-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  金东洙 ,  宋命坤 ,  李升运 ,  吴润相

IPC: G03F7/20

CPC classification number: H01J37/067 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J3/22 ,  H01J37/145 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31776 ,  H01J2237/31777 ,  H01J2237/31781

Abstract: 本发明提供一种电磁聚焦装置和使用该电磁聚焦装置的电子束光刻系统，其能够通过移动极片的中心部分调节电磁场的均匀性。该电磁聚焦装置控制从电子束光刻系统的电子束发射器产生的电子束的路径。在该电磁聚焦装置中，磁场生成器形成真空室中的磁场，该真空室围绕出晶片安装于其中的空间。上和下极片分别穿透该真空室的顶和底壁，彼此面对地安装，且将形成在磁场生成器处的磁场施加到该真空室中。真空室中磁场的均匀性可以通过该上和下极片相对于该真空室的垂直移动来调节。

公开(公告)号：CN1607465A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410056446.2

申请日：2004-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳寅儆 ,  文昌郁 ,  崔昌勋

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J2237/31779

Abstract: 本发明公开了一种用于电子束投影光刻系统的发射器及其制造和操作方法。该发射器包括光电导衬底、形成在光电导衬底的前表面上的绝缘层、形成在绝缘层上并被构图为具有薄部和相对于薄部的厚部的栅电极层、以及形成在光电导衬底的后表面上并由透明导电材料形成的基电极层。在基电极层与栅电极层之间施加电压，光从发射器的后侧投射在光电导衬底的局部上，从而将部分光电导衬底转变为导体，使得电子仅从光投射到的局部射出。根据本发明，由于发射器可以局部地发射电子，因此可以在全面的第一次构图后进行局部的改正或修复。

公开(公告)号：CN1497356A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310102435.9

申请日：2003-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳寅儆 ,  文昌郁 ,  金东煜

IPC: G03F7/20 ,  H01J1/00 ,  H01J31/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/06358 ,  H01J2237/31781

Abstract: 本发明公开了一种利用二次电子的电子投影光刻装置。该装置包括：二次电子发射器，它与基板固定器间隔预定距离，在该二次电子发射器的朝向基板固定器的表面上形成已构图的掩模；一次电子发射器，它在二次电子发射器背对基板固定器的方向上与二次电子发射器间隔预定距离，并向二次电子发射器发射一次电子；第二电源，它在基板固定器和二次电子发射器之间施加预定电压；第一电源，它在二次电子发射器和一次电子发射器之间施加预定电压；和磁场发生器，它控制由二次电子发射器发射的二次电子的路径。

公开(公告)号：CN1469200A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03131171.7

申请日：2003-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东煜 ,  柳寅儆 ,  文昌郁 ,  金仁淑

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J37/3175 ,  H01J2237/31781

Abstract: 本发明公开了一种使用图案化发射体的电子光刻设备。该电子光刻设备包括将图案化金属薄层用作掩模来发射电子的热电发射体。当发射体受热时，电子自发射体的覆盖有图案化介电层的部分发射出，而不从发射体的覆盖有图案化金属薄层的部分发射出来，从而将发射体的图案投影到衬底上。为了防止所发射的电子束发散，电子束通过磁体、DC磁场发生器或偏转器来控制。因此，可以容易地在衬底上获得所需图案的一比一或x比一的投影。

公开(公告)号：CN101261938A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200710185722.9

申请日：2007-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁铉德 ,  文昌郁 ,  田重锡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/78

Abstract: 示例实施例涉及一种制造硅化锗的方法以及一种半导体器件。根据示例实施例的方法可包括提供至少部分由锗硅构成的衬底。在该锗硅上可形成金属层。可在相对高的压力下对衬底进行热处理，以形成硅化锗。

公开(公告)号：CN101237025A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710303534.1

申请日：2007-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  田重锡 ,  布里姆·埃尔莫斯塔法 ,  梁铉德

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/957 ,  Y10S438/958 ,  Y10S977/735 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/943

Abstract: 实施例可以提供非易失性存储器件和构造非易失性存储器件的示例方法。实施例非易失性存储器件可以包括在衬底上的开关装置和/或电连接至该开关装置的存储节点。存储节点可以包括电连接至该开关装置的下金属层、堆叠在下金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上金属层、碳纳米管层、和/或钝化层。

公开(公告)号：CN100397572C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN03159790.4

申请日：2003-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  柳寅儆 ,  金东煜

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01J37/3175 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/0216 ,  H01J2237/15

Abstract: 一种电子束聚焦设备在电子束投影光刻系统中控制由发射器发射的电子束的路径，该设备有：顶部磁铁和底部磁铁，放在装晶片真空室的上面和下面，顶部磁铁和底部磁铁产生真空室内的磁场；上部磁极片和下部磁极片，从真空室顶部和底部伸出，与顶部磁铁和底部磁铁磁性地接触；及上部环形伸出部和下部环形伸出部，从上部磁极片和下部磁极片相互面对的表面上伸出。所述光刻系统包括：围出一放置一晶片空间的真空室；发射器，它在真空室内以预定距离对着晶片分开地设置，发射电子束到晶片上；及有上述结构的电子束聚焦设备。电子束聚焦设备及使用该设备的所述影光刻系统能在晶片和电子束发射器之间提供均匀的电/磁场并减小由于真空室振动引起的电子束路径的弯曲。

公开(公告)号：CN101192647A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200610163636.3

申请日：2006-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重来 ,  赵成逸 ,  柳寅儆 ,  李殷洪 ,  文昌郁

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/47 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 提供了包括无定形合金金属氧化物层的非易失性存储装置。所述非易失性存储器装置包括底电极、布置在所述底电极上的包括无定形合金金属氧化物的氧化物层和布置在所述氧化物层上的二极管结构体。