公开(公告)号：CN114725065A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111203504.X

申请日：2021-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成原 ,  金容锡 ,  金一权 ,  金炫哲 ,  徐亨源 ,  李炅奂 ,  洪载昊

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种半导体存储装置。所述半导体存储装置可以包括具有数据存储器件的数据存储层、设置在所述数据存储层上的互连层以及设置在所述数据存储层和所述互连层之间的选择元件层。所述互连层可以包括在第一方向上延伸的位线。所述选择元件层可以包括单元晶体管，所述单元晶体管连接在所述数据存储器件之一和所述位线之一之间，并且所述单元晶体管可以包括有源图案和字线，所述字线与所述有源图案交叉并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN114446990A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111276609.8

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  金容锡 ,  金一权 ,  金炫哲 ,  徐亨源 ,  柳成原 ,  弘载昊

IPC: H01L27/11578 ,  H01L27/11568

Abstract: 提供一种具有改善的电特性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：第一半导体图案，其在第一方向上与衬底分离；第一栅极结构，其在第一方向上延伸并穿透第一半导体图案；第一导电连接线，其连接至第一半导体图案并在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及第二导电连接线，其连接至第一半导体图案。第一栅极结构位于第一导电连接线和第二导电连接线之间，第一栅极结构包括第一栅电极和第一栅极绝缘膜，且第一栅极绝缘膜包括与第一半导体图案接触的第一电荷保持膜。

公开(公告)号：CN114300453A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202110819494.6

申请日：2021-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪载昊 ,  金炫哲 ,  金容锡 ,  金一权 ,  徐亨源 ,  柳成原 ,  李炅奂

IPC: H01L27/108

Abstract: 根据本发明构思的半导体存储器装置包括：半导体基底；共源极半导体层，掺杂有第一导电类型的杂质，位于半导体基底上；多个绝缘层和多个字线结构，交替堆叠在共源极半导体层上；存储器单元介电层，穿透所述多个绝缘层和所述多个字线结构，并且覆盖在竖直方向上延伸的沟道孔的内壁；以及存储器单元结构，填充沟道孔。存储器单元结构包括沟道层和漏极层，在沟道层上设置有存储器单元介电层，沟道层填充沟道孔的至少一部分，并且漏极层覆盖沟道层的上表面，掺杂有第二导电类型的杂质，并填充沟道孔的上部的一部分。

公开(公告)号：CN113972234A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202110578100.2

申请日：2021-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  徐亨源 ,  柳成原 ,  李炅奂 ,  洪载昊

IPC: H01L27/24

Abstract: 一种垂直可变电阻存储器件，包括：栅电极，所述栅电极在衬底上沿第一方向彼此间隔开，每个所述栅电极包括石墨烯并沿第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的上表面，并且所述第二方向基本上平行于所述衬底的所述上表面；第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于所述栅电极之间，每个所述第一绝缘图案包括氮化硼(BN)；以及至少一个柱状结构，所述至少一个柱状结构在所述衬底上沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述第一绝缘图案，其中，所述至少一个柱状结构包括：垂直栅电极，所述垂直栅电极沿所述第一方向延伸；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案位于所述垂直栅电极的侧壁上。

公开(公告)号：CN111199975A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911134564.3

申请日：2019-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐亨源

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的多个有源区和与多个有源区电隔离的器件隔离区；栅极沟槽，延伸穿过多个有源区和器件隔离区；栅极结构，在多个有源区中的每个的栅极沟槽中延伸，并与栅极沟槽的相对侧壁接触；栅极介电膜，在多个有源区中的每个中形成在栅极沟槽与栅极结构之间；以及绝缘阻挡膜，设置在多个有源区中的每个中且位于栅极沟槽下方，与栅极沟槽的下表面间隔开，并且在栅极沟槽的延伸方向上延伸。

公开(公告)号：CN101093855B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710112138.0

申请日：2007-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙英雄 ,  尹在万 ,  金奉秀 ,  徐亨源

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7827

Abstract: 场效应晶体管包括衬底和远离衬底延伸的柱子。该柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间延伸的侧壁。在该侧壁上设置绝缘栅。在柱子底下并邻近绝缘栅的衬底中设置第一源区/漏区。在柱子底下并远离绝缘栅的衬底中设置第二源区/漏区，与第一源区/漏区相比，第二源区/漏区被重掺杂。该柱子可以是基体和顶部之间的中间部分与相邻基体和顶部相比更窄的I-形柱子，以便该侧壁包括基体和顶部之间的凹陷中间部分。

公开(公告)号：CN101232022A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810004580.6

申请日：2008-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐亨源 ,  金东铉 ,  李康润 ,  金圣求

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10885 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876

Abstract: 本发明提供一种包括阻挡绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个有源区，其中有源区由器件隔离层定义且沿第一方向设置；多个位线电极，连接到所述有源区，其中每个所述位线电极沿第二方向延伸；以及多个第一阻挡绝缘层。每个所述第一阻挡绝缘层沿第三方向延伸，所述第一阻挡绝缘层中的至少一个设置于所述器件隔离层位于所述有源区中的两个之间的对应第一部分上，所述两个有源区沿第一方向相邻，所述第一方向与所述第二方向彼此不同。

公开(公告)号：CN101017825A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710004792.X

申请日：2007-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹在万 ,  金奉秀 ,  徐亨源 ,  李康润

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66666

Abstract: 提供了具有能够减小围绕有源柱的栅电极和连接栅电极的字线之间的界面接触阻抗的垂直沟道的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括多个有源柱，在垂直于半导体衬底的表面的方向上延伸。字线结构形成在外周边上，用于连接在相同的行或列中设置的有源柱。与字线结构相关，顶和底源区/漏区分别形成在有源柱之上和之下。