公开(公告)号：CN101093855A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710112138.0

申请日：2007-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙英雄 ,  尹在万 ,  金奉秀 ,  徐亨源

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7827

Abstract: 场效应晶体管包括衬底和远离衬底延伸的柱子。该柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间延伸的侧壁。在该侧壁上设置绝缘栅。在柱子底下并邻近绝缘栅的衬底中设置第一源区/漏区。在柱子底下并远离绝缘栅的衬底中设置第二源区/漏区，与第一源区/漏区相比，第二源区/漏区被重掺杂。该柱子可以是基体和顶部之间的中间部分与相邻基体和顶部相比更窄的I－形柱子，以便该侧壁包括基体和顶部之间的凹陷中间部分。

公开(公告)号：CN115707235A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210849101.0

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑星真 ,  朴硕汉 ,  鲜于艺智 ,  刘宝元 ,  孙英雄

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：单元晶体管，位于基底上；下电极，分别连接到单元晶体管，在第一水平方向上按照第一节距布置，并且在竖直方向上延伸；以及蚀刻停止层，围绕下电极的下侧壁并且布置在比单元晶体管的水平高的水平处，其中，蚀刻停止层包括与下电极竖直地叠置的第一部分和横向地围绕第一部分的第二部分，并且第二部分包括在第一水平方向上按照第二节距布置的凹陷。

公开(公告)号：CN101093855B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710112138.0

申请日：2007-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙英雄 ,  尹在万 ,  金奉秀 ,  徐亨源

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7827

Abstract: 场效应晶体管包括衬底和远离衬底延伸的柱子。该柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间延伸的侧壁。在该侧壁上设置绝缘栅。在柱子底下并邻近绝缘栅的衬底中设置第一源区/漏区。在柱子底下并远离绝缘栅的衬底中设置第二源区/漏区，与第一源区/漏区相比，第二源区/漏区被重掺杂。该柱子可以是基体和顶部之间的中间部分与相邻基体和顶部相比更窄的I-形柱子，以便该侧壁包括基体和顶部之间的凹陷中间部分。