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公开(公告)号：CN107403645A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710266270.0
申请日：2017-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/6566 , G06F11/1012 , H03M13/152 , G11C29/42 , G11C29/44
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件的读取方法。所述方法包括将从非易失性存储器件的所选择的存储器单元感测到的数据存储到页缓冲器中，通过对感测到的数据执行错误检测以检测错误，如果检测到错误则纠正检测到的错误，使用经纠正的数据重写页缓冲器，并在完成错误解码操作之后通过使用种子来对存储在页缓冲器中的数据进行解随机化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107403636A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710320596.7
申请日：2017-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 平野诚
CPC classification number: G06F3/0655 , G06F3/0604 , G06F3/0619 , G06F3/0679 , G06F11/073 , G06F11/0751 , G06F11/0793 , G06F11/1048 , G11C7/1006 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C16/3495 , G11C29/44 , G11C29/52 , G11C2029/0411 , G11C7/18 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C8/14
Abstract: 一种读取包括耦合到多个字线和多个位线的多个页面的非易失性存储设备的方法，其中，所述多个页面中的每一个包括存储数据的数据区域和存储标志的标志区域，所述方法包括：将第一读取电压施加到选择的字线以产生第一读出数据和第一读出标志；将第二读取电压施加到选择的字线以产生第二读出数据和第二读出标志；通过对第一读出数据和第二读出数据执行逻辑运算来产生确定数据；基于确定数据和读取标志确定移位电压；以及基于移位电压将第三读取电压施加到选择的字线以产生读取数据。
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公开(公告)号：CN107274929A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710212175.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0638 , G06F3/061 , G06F3/0619 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F11/1068 , G11C29/52 , G11C2029/0409 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 一种用于执行随机操作的非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个第一段，具有写入数据；多个第二段，具有定义来自所述多个第一段的编程的段的编程信息。随机化发生器被配置为对写入数据进行随机化。纠错电路被配置为对写入数据执行纠错操作。控制逻辑被配置为确定来自从存储器控制器接收的地址的编程信息，并在编程操作期间基于编程信息的确定来确定是否运行随机化发生器和纠错电路。页缓冲器被配置为在随机化和纠错操作期间存储写入数据和编程信息。
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公开(公告)号：CN107403645B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201710266270.0
申请日：2017-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件的读取方法。所述方法包括将从非易失性存储器件的所选择的存储器单元感测到的数据存储到页缓冲器中，通过对感测到的数据执行错误检测以检测错误，如果检测到错误则纠正检测到的错误，使用经纠正的数据重写页缓冲器，并在完成错误解码操作之后通过使用种子来对存储在页缓冲器中的数据进行解随机化。
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公开(公告)号：CN112216324A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010337657.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括设置在字线与位线相交的点处的存储器单元；第一解码器电路，其确定位线之中的被选择的位线和未选择的位线；第二解码器电路，其确定字线之中的被选择的字线和未选择的字线；电流补偿电路，其提供电流路径，所述电流路径从被选择的字线汲取补偿电流以补偿未选择的位线中流动的截止电流；第一感测放大器，其将被选择的字线的电压与参考电压进行比较，并输出使能信号；以及第二感测放大器，其在存储器装置的读出操作模式下在由使能信号确定的操作时间期间输出被选择的字线的电压与参考电压之间的电压差。
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公开(公告)号：CN107958680A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710560786.6
申请日：2017-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3495 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/3409 , G11C16/3445 , G11C8/08 , G11C16/14
Abstract: 提供了存储器装置的边缘字线管理方法及操作存储器装置的方法。所述边缘字线管理方法包括：响应于擦除命令对存储器装置执行擦除操作，随机确定虚设样式的数据，并且通过在虚设存储器单元中写入虚设样式的数据来执行后编程操作，其中，虚设存储器单元与包括在已执行擦除操作的存储器块中的单元串的主存储器单元相邻。
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