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公开(公告)号：CN104733041B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201410666066.4
申请日：2014-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了非易失性存储装置和擦除非易失性存储装置的方法。提供了一种擦除非易失性存储装置的方法，非易失性存储装置包括沿垂直于基底的方向形成的多个存储块，每个存储块具有连接到位线的多个串。所述方法包括下述步骤：利用电源电压选择将被擦除的存储块；利用负电压取消选择除了选择的存储块以外的剩余的存储块；设置偏置条件以减小取消选择的存储块的泄漏电流；以及对选择的存储块执行擦除操作。
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公开(公告)号：CN102270501B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201110145953.3
申请日：2011-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3436
Abstract: 一种用于非易失性存储器件的编程方法，包括：执行LSB编程操作编程全部LSB逻辑页面，之后执行MSB编程操作编程全部MSB逻辑页面，其中，在LSB编程操作期间，将选择的MLC编程为负中间编程状态。用于LSB和MSB编程操作的编程序列相对于字线的排列次序可以是顺序的或非顺序的。
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公开(公告)号：CN103456361A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310206487.4
申请日：2013-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5635 , G06F11/1048 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/02 , G11C16/0483 , G11C16/3413 , G11C16/3436 , G11C16/3454 , G11C29/04 , G11C2029/0411 , G11C2211/5621
Abstract: 提供了一种操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统。操作非易失性存储装置的方法可包括：识别在非易失性存储装置中的已进行从擦除的状态到至少部分编程的状态的无意的编程的一个或多个多位非易失性存储单元。可通过执行多个读取操作以产生差错检测数据并且随后对差错检测数据进行解码以识别具有差错的特定单元，来检测对第一多个非易失性存储单元中进行编程的操作期间产生的差错。编程的第一多个多位非易失性存储单元和在编程操作期间更改的强迫位数据矢量可被读取以支持差错检测。该数据以及从与第一多个多位非易失性存储单元相关联的页缓冲器读取的数据随后可被解码，以识别第一多个多位非易失性存储单元中的哪个是无意地编程的单元。
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公开(公告)号：CN101727986A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910179289.7
申请日：2009-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3427
Abstract: 一种根据本发明的对非易失性存储设备编程的方法包括：根据载入页缓冲区中的数据对位线预充电；将预充电的位线分别电连接到与所述位线对应的沟道，以便对沟道充电；以及在对沟道充电之后施加用于编程的字线电压。根据载入相邻页缓冲区中的数据来确定所述沟道中每个沟道的沟道电压提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103456361B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310206487.4
申请日：2013-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5635 , G06F11/1048 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/02 , G11C16/0483 , G11C16/3413 , G11C16/3436 , G11C16/3454 , G11C29/04 , G11C2029/0411 , G11C2211/5621
Abstract: 提供了一种操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统。操作非易失性存储装置的方法可包括：识别在非易失性存储装置中的已进行从擦除的状态到至少部分编程的状态的无意的编程的一个或多个多位非易失性存储单元。可通过执行多个读取操作以产生差错检测数据并且随后对差错检测数据进行解码以识别具有差错的特定单元，来检测对第一多个非易失性存储单元中进行编程的操作期间产生的差错。编程的第一多个多位非易失性存储单元和在编程操作期间更改的强迫位数据矢量可被读取以支持差错检测。该数据以及从与第一多个多位非易失性存储单元相关联的页缓冲器读取的数据随后可被解码，以识别第一多个多位非易失性存储单元中的哪个是无意地编程的单元。
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公开(公告)号：CN103106924B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201210375708.6
申请日：2012-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C2211/563
Abstract: 一种非易失性存储器件的软判决读取方法包含：接收软判决读取命令；向被选字线施加读取电压；对分别连接到该被选字线的被选存储单元的位线进行预充电；以及连续地感测该被选存储单元的状态。位线的预充电电压和供应到被选字线的读取电压在感测被选存储单元的状态期间不改变。
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公开(公告)号：CN102479551B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201110380017.0
申请日：2011-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418
Abstract: 在一个实施例中，所述方法包括：接收读取在与第一字线相关联的第一存储单元中所存储的数据的请求；以及响应于该请求对与第二字线相关联的至少一个存储单元执行读取操作。所述第二字线按照字线编程顺序跟在第一字线之后，并且在第一时间段上执行第一读取操作。所述方法进一步包括基于来自第一读取操作的输出对第一存储单元执行第二读取操作。第二读取操作被执行一第二时间段，并且如果从执行第一读取操作的输出指示第一存储单元没有被耦合，则第一时间段短于第二时间段。
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公开(公告)号：CN101847443B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201010150541.4
申请日：2010-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5621 , G11C16/3436
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器器件和相关的编程方法。该非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；电压生成器，所述电压生成器被构造成产生电压，以对多个存储器单元进行编程；以及控制逻辑组件，所述控制逻辑组件被构造成控制电压生成器，以在编程循环的连续迭代期间向选定存储器单元提供多个编程电压。其中，在当前编程循环迭代期间判断与一个逻辑状态相对应的存储器单元被编程通过的情况下，控制逻辑组件控制电压生成器，使得在后续编程循环迭代期间，跳过与一个逻辑状态相对应的编程电压。
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公开(公告)号：CN101727986B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200910179289.7
申请日：2009-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3427
Abstract: 一种根据本发明的对非易失性存储设备编程的方法包括：根据载入页缓冲区中的数据对位线预充电；将预充电的位线分别电连接到与所述位线对应的沟道，以便对沟道充电；以及在对沟道充电之后施加用于编程的字线电压。根据载入相邻页缓冲区中的数据来确定所述沟道中每个沟道的沟道电压提升。
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