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公开(公告)号：CN103151069A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210520121.X
申请日：2012-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1008 , G06F11/1072 , G11C29/52
Abstract: 操作存储器系统和非易失性存储器设备的方法包括：对从非易失性存储器设备内的第一（“源”）部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正（ECC）操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数。然后，使用例如地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二（“目标”）部分M比特非易失性存储单元。
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公开(公告)号：CN109285582B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810691199.5
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 本发明提供一种存储器系统、非暂时性计算机可读介质及错误校验与校正的方法，可提高非易失性存储器装置的良率、可靠性及寿命。用于控制非易失性存储器装置的错误校验与校正的方法包括将写入数据存储在多个存储区中。所述写入数据可通过执行错误校验与校正编码而产生。可基于从所述存储区读出的多个读取数据中的每一者来执行单独式错误校验与校正解码。当所述单独式错误校验与校正解码关于所有所述读取数据来说均失败时，可通过对所述读取数据执行逻辑运算来提供逻辑运算数据。可基于所述逻辑运算数据来执行组合式错误校验与校正解码。
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公开(公告)号：CN113990361A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110452349.9
申请日：2021-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种包括具有字线的存储器块的非易失性存储器装置的操作方法包括：对存储器块执行擦除；通过使用第0擦除验证电压对存储器块执行块验证；当块验证指示的结果通过时，通过使用与第0擦除验证电压不同的第一擦除验证电压对存储器块执行增量验证；以及基于块验证的结果或增量验证的结果输出关于存储器块的擦除结果的信息。增量验证包括：通过使用第一擦除验证电压来生成分别与各字线组对应的增量计数值；基于增量计数值来生成增量值；以及将增量值与第一参考值进行比较。
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公开(公告)号：CN113948140A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110804646.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：包含第一串选择晶体管、第一存储单元和第一接地选择晶体管的第一串；包含第二串选择晶体管、第二存储单元和第二接地选择晶体管的第二串；和控制器，从第一时间向第一串选择线施加通过电压，在从第一时间至第二时间的第一读取时段期间向第一字线施加第一读取电压，从第一时间向第一接地选择线施加第一接地选择线电压，向第二串选择线施加接地电压，在第一控制时段期间向第二接地选择线施加第一接地选择线电压，以及在第一控制时段期间向公共源极线施加第一公共源极线电压。
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公开(公告)号：CN102831076B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201210196929.7
申请日：2012-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F12/0246 , G06F2212/7203 , G11C16/3418 , G11C16/3454 , G11C2211/5641
Abstract: 公开了一种用于包括多位存储设备和存储控制器的数据存储设备的片上缓冲编程方法。该片上缓冲编程方法包括：测量数据存储设备的性能；判断所测量的性能是否满足数据存储设备的目标性能；以及根据判断结果选择多个调度方式中的一个作为数据存储设备的片上缓冲编程调度方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102479556B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201110363250.8
申请日：2011-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5642 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C16/26
Abstract: 在一个实施例中，一种用于读取非易失性存储器单元阵列中的存储器单元的方法包括基于单个读取命令，使用硬决策电压集合和至少第一软决策电压集合从存储器单元读取数据。
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公开(公告)号：CN102290105B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110056113.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/56 , G11C11/5628 , G11C14/0018 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。
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公开(公告)号：CN104051016A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410099431.8
申请日：2014-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置、读取数据方法、存储系统及操作方法。在从非易失性存储装置读取数据的方法中，通过将第一读取电压施加到第一字线来执行针对结合到第一字线的存储单元的第一读取操作。执行第一读取重试操作以获得最佳读取电平而不管或不依赖于通过第一读取操作读取的数据是否是可纠错的，并存储所述最佳读取电平以使用所述最佳读取电平来执行随后的第二读取操作。也公开了相关方法和装置。
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公开(公告)号：CN103137199A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210505018.8
申请日：2012-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/06 , G06F11/1072 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C11/5621 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C2029/0411
Abstract: 公开了一种存储器系统、数据存储设备、存储卡和固态驱动器，存储器系统包括：具有用户区和缓冲区的非易失性存储器；以及管理模式改变操作的磨损等级控制逻辑，在模式改变操作中，基于非易失性存储器的磨损等级信息，用户区的存储器块被部分改变到缓冲区。
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公开(公告)号：CN103928055B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201410012363.7
申请日：2014-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明提供了闪速存储器、闪速存储器系统及其操作方法。操作闪速存储器的方法包括对具有包括在第一相邻阈值电压范围和第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，并且基于存储器单元的第一计数数量和第二计数数量之差来设置第一最佳读取电压，第一相邻阈值电压范围由用于区分初始分开的相邻设置的阈值电压分布的第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第一电压差的第一搜索读取电压来限定，第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第二电压差的第二搜索读取电压来限定。
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