公开(公告)号：CN113990361A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202110452349.9

申请日：2021-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑斗连 ,  曹永进 ,  南釜一 ,  李娜利 ,  南礼志 ,  尹翔镛

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C29/42

Abstract: 一种包括具有字线的存储器块的非易失性存储器装置的操作方法包括：对存储器块执行擦除；通过使用第0擦除验证电压对存储器块执行块验证；当块验证指示的结果通过时，通过使用与第0擦除验证电压不同的第一擦除验证电压对存储器块执行增量验证；以及基于块验证的结果或增量验证的结果输出关于存储器块的擦除结果的信息。增量验证包括：通过使用第一擦除验证电压来生成分别与各字线组对应的增量计数值；基于增量计数值来生成增量值；以及将增量值与第一参考值进行比较。

公开(公告)号：CN115954035A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202210876134.4

申请日：2022-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎河 ,  金正悦 ,  李娜利 ,  金大汉

IPC: G11C16/34

Abstract: 公开了非易失性存储器装置和存储装置。所述非易失性存储器装置包括存储器单元阵列、行解码器电路、页缓冲器电路和通过/失败检查电路，行解码器电路选择一条字线作为编程操作的目标，页缓冲器电路存储将在编程操作中被写入与被选择的字线连接的存储器单元中的数据，通过/失败检查电路确定编程操作的通过或失败。在编程操作中，通过/失败检查电路检测第一存储器单元的第一编程速度和第二存储器单元的第二编程速度，并且基于第一编程速度和第二编程速度确定编程失败。