公开(公告)号：CN110853683B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910738613.8

申请日：2019-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹敬和 ,  郭判硕 ,  金灿镐 ,  任琫淳

IPC: G11C5/02

Abstract: 本公开提供了非易失性存储器。一种非易失性存储器包括垂直堆叠在第二半导体层上并包括第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组的第一半导体层。第二半导体层包括分别在第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组下面的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。第一区域包括通过特定字线连接到第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组中的一个存储器组的存储器单元的一个驱动电路以及通过第一位线连接到第一存储器组的存储器单元的另一个驱动电路，其中特定字线和第一位线在相同的水平方向上延伸。

公开(公告)号：CN112349724B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202010527845.1

申请日：2020-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹敬和 ,  郭判硕 ,  金灿镐 ,  姜东求

IPC: H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  G11C8/14

Abstract: 一种存储器装置，所述存储器装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于第一基底上的电路元件，电路元件包括行解码器；单元阵列区域，包括字线和沟道结构，字线堆叠在外围电路区域上的第二基底上，沟道结构在与第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿透字线；以及单元接触区域，包括单元接触件，单元接触件连接到字线并位于单元阵列区域的在与第二基底的上表面平行的第一方向上的两侧上，单元接触区域包括第一单元接触区域和第二单元接触区域，第一单元接触区域和第二单元接触区域在第一方向上具有彼此不同的长度。

公开(公告)号：CN114256267A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111114419.6

申请日：2021-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金灿镐 ,  尹敬和 ,  金东星

IPC: H01L27/1157 ,  H01L23/522 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体基板；外围电路结构，包括集成在半导体基板上的外围电路和连接到外围电路的落着焊盘；在外围电路结构上的半导体层；与半导体层的一部分接触的金属结构，该金属结构包括在第一方向上延伸的第一部分、连接到第一部分并在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二部分、以及从第一部分和第二部分中的至少一个垂直地延伸并连接到落着焊盘的通路部分；以及堆叠，包括垂直且交替地堆叠在金属结构上的绝缘层和电极。

公开(公告)号：CN112992198A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011498309.X

申请日：2020-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 劝兑晎 ,  金燦镐 ,  尹敬和 ,  边大锡 ,  尹治元

IPC: G11C5/06 ,  G11C5/14

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。为了允许在半导体存储器装置中密集集成大量的堆叠字线，电荷泵被包括在半导体存储器装置中。电荷泵使用电容器。电容器相对于密集集成来实现。一些组件放置在堆叠的字线下面，一些组件不在堆叠的字线下面。不在堆叠字线下面的电容器的容量由并联结构部分地提供。

公开(公告)号：CN112310100A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010401841.9

申请日：2020-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹敬和 ,  金燦镐 ,  姜东求

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种垂直存储器装置。该垂直存储器装置包括：栅电极，形成在基底上且在与基底的上表面基本上垂直的第一方向上彼此分隔开，栅电极包括第一栅电极和插置在第一栅电极与基底之间的第二栅电极；沟道，在第一方向上延伸穿过栅电极；绝缘隔离图案，在第一方向上延伸穿过第一栅电极，并在与基底的上表面基本上平行的第二方向上将第一栅电极分开；以及阻挡图案，设置在每个栅电极的上表面、下表面和侧壁上，栅电极的侧壁面对沟道。绝缘隔离图案直接接触第一栅电极。

公开(公告)号：CN110853683A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910738613.8

申请日：2019-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹敬和 ,  郭判硕 ,  金灿镐 ,  任琫淳

IPC: G11C5/02

Abstract: 本公开提供了非易失性存储器。一种非易失性存储器包括垂直堆叠在第二半导体层上并包括第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组的第一半导体层。第二半导体层包括分别在第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组下面的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。第一区域包括通过特定字线连接到第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组中的一个存储器组的存储器单元的一个驱动电路以及通过第一位线连接到第一存储器组的存储器单元的另一个驱动电路，其中特定字线和第一位线在相同的水平方向上延伸。